CMOS图像传感器象素制造技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器象素，其中，所述象素阵列中至少一层金属，左侧的金属向右偏移，右侧的金属向左偏移，所述左侧的金属和右侧的金属偏移量相等，或其偏移量相差小于等于０．２微米。本发明专利技术既可使象素中的金属层不会遮挡入射光，又可有效减少版图设计的工作量和难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器象素。
技术介绍
CMOS图像传感器相对于CCD(电荷耦合器件)而言，具有集成度高、功耗低、成本低等优势，得到了越来越广泛的应用。随着科技进步和市场需要，CMOS图像传感器的解像度越来越高，而象素尺寸越来越小，达到了2.2微米，甚至更小。如此小的象素中会导致一系列问题，其中之一就是金属层会遮挡入射光，不仅使得象素灵敏度降低，而且金属会反射和散射入射光，引起噪声。为了解决这个问题，有人提出将每个象素的金属层相对于感光区作一定偏移，并且每个象素的金属层偏移量不同，达到有效降低金属层遮光的目的。但是，这种办法也有它的局限性。如图1所示，因为每个象素的金属层偏移量不同，所以它们的版图都不尽相同。不仅增加了版图设计的工作量，而且在有些情况下，根本无法实现，尤其当金属层数较多时更是如此。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种CMOS图像传感器象素，它既可使象素中的金属层不会遮挡入射光，又可有效减少版图设计的工作量和难度。为了解决上述技术问题，本专利技术所述的CMOS图像传感器象素是采用如下技术方案实现的，象素阵列中至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器象素，其特征在于：象素阵列中至少一层金属，左侧的金属向右偏移，右侧的金属向左偏移；所述左侧的金属和右侧的金属偏移量相等，或其偏移量相差小于等于０．２微米。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器象素，其特征在于象素阵列中至少一层金属，左侧的金属向右偏移，右侧的金属向左偏移；所述左侧的金属和右侧的金属偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，董建民，徐春花，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]