反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置制造方法及图纸

本发明专利技术的发光二极管反射盖形成方法及其结构提供第一、二生胚结构，该第一生胚结构并设有第一开孔图案，并将第二生胚结构设置于第一生胚结构上，而第二生胚结构涂布有一金属结构，最后再使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上，使金属结构即为反射盖孔的孔壁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置，尤指一种发光二极管的陶瓷反射盖的塑形方法，并可选择发光二极管承载装置的承载角度。
技术介绍
由于，发光二极管具备有体积小、低耗电、低热度以及寿命长等特性，如圣诞灯饰、手电筒、车辆信号灯、交通标志等商品，已逐渐利用发光二极管所替代功能相近的传统钨丝灯泡；又，一般发光二极管的基本构造，是在一透明封装体的内部设有不同极性的导电端以及一承载部，其承载部处设有一芯片，另设有金线构成芯片的电极层与导电端的连接，而各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。而发光二极管发光光谱或亮度特性，主要是由构成发光二极管芯片的化合物半导体所决定，发光亮度或视野角度等光的特性则受发光二极管芯片的封装基板影响很大。而习知的发光二极管封装结构中，可采取反射盖来反射发光二极管芯片所发出的光，一般而言，反射盖的制作方式有钻孔加工的方式、冲压法与压合的方式，但上述各加工方式的成本高、斜面粗糙而不利于光反射的模式、反射盖的孔形受到限制、无法制作积层线路，因此无法降低发光二极管的封装成本且无法增加发光二极管的取光效率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含：至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；一金属结构于该第二生胚结构上；以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；一金属结构于该第二生胚结构上；以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。2.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一生胚结构可包含复数陶瓷生胚结构堆积而成，且各陶瓷生胚结构是利用冲孔形成开孔，而各开孔则堆栈形成第一开孔图案。3.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第二生胚结构可包含复数陶瓷生胚结构堆积而成。4.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中可由热塑形方式或压合方式使第二生胚结构沿第一生胚结构的开孔图案而塑形。5.如权利要求4所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该热塑形方式或压合方式可利用一塑形结构热压于第二生胚结构上。6.如权利要求5所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该塑形结构至少包含有一设于第一、二离型膜间的平板层以及设于第二离型膜上的缓冲层，并利用该第一离型膜接触金属结构与第二生胚结构。7.如权利要求6所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一离型膜与平板层分别设有第二、三开孔图案，该第二、三开孔图案与第一开孔图案的开孔率相同或相异，所形成反射盖侧壁与孔缘的间的形状亦有所不同。8.如权利要求7所述发光二极管的反射盖的形成方法，该第二、三开孔图案的开孔率大于第一开孔图案的开孔率，于塑形的过程中则会形成防胶溢流圈的结构。9.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该金属结构是利用涂布方式或厚膜印刷形成一银层设置于第二生胚结构上。10.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该金属结构是于第一、二生胚结构共烧后形成导电或反射层，进一步利用电镀方式于第二生胚结构表面金属结构上形成镀层。11.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该金属结构形成第一开孔图案的侧壁及底部。12.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中可于第一生胚结构一侧进一步设置一基座。13.如权利要求12所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该基座可为金属材质。14.如权利要求12所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该基座与第二生胚结构间设有导热管。15.一种发光二极管的反射盖的形成方法，包含至少一第一生胚结构，其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案；一第二生胚结构设置于该第一生胚结构上；一金属结构于该第二生胚结构上且相对应于第一开孔图案；利用压合方式使第二生胚结构得以由第一生胚结构的开孔图案而塑形，而该金属结构形成第一开孔图案的侧壁及底部。16.如权利要求15所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第一生胚结构可包含复数陶瓷生胚结构堆积而成，且各陶瓷生胚结构是利用冲孔形成开孔，而各开孔则堆栈形成第一开孔图案。17.如权利要求15所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该第二生胚结构可包含复数陶瓷生胚结构堆积而成。18.如权利要求15所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中可由热塑形方式或压合方式使第二生胚结构沿第一生胚结构的开孔图案而塑形。19.如权利要求18所述发光二极管的反射盖的形成方法，其中该热塑形方式或压合...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正兴，谢荣修，陈国湖，吴景雅，李敏丽，
申请(专利权)人：鋐鑫电光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]