一种高纯度TGIC加工系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种高纯度TGIC加工系统，包括合成釜、环化釜，过滤装置、分层器、蒸馏釜、结晶釜和离心机，所述过滤装置和分层器间设置有水洗罐；所述蒸馏釜与结晶釜间设置有预结晶釜。本实用新型专利技术通过在现有设备基础上增加了水洗罐，物料在静置分层前先通过水洗，去除料液内游离氯离子和催化剂铵盐等杂质，从而提高TGIC的纯度。同时，通过预结晶釜形成均相成核，避免杂质包裹在晶体内。此外，通过系统内各设备的调整，从而提高产品的纯度，可广泛应用于TGIC生产加工技术领域。于TGIC生产加工技术领域。于TGIC生产加工技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯度TGIC加工系统


[0001]本技术涉及TGIC加工
，尤其是涉及一种高纯度TGIC加工系统。

技术介绍

[0002]TGIC(异氰脲酸三缩水甘油酯)是应用于粉末涂料中的一种固化剂，由于其具有热稳定性好、耐候性好、耐黄变性优、力学性能卓越而被广泛使用。TGIC的加工也随着工业产业的升级，对TGIC的纯度要求越来越高。TGIC的加工主要工艺步骤包括合成、环化、过滤、水洗、蒸馏、结晶和离心，每个环节的处理不当，都会影响TGIC成品的纯度，现有加工系统，TGIC产品的纯度基本在92～95％，对于一些纯度要求高的电子行业，目前的加工系统获得的TGIC产品已不能满足其要求，因此，需要对现有加工系统中的各设备进行调整改进，以提高TGIC产品的纯度。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种高纯度TGIC加工系统，解决现有TGIC加工系统获得的TGIC产品纯度低的问题。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种高纯度TGIC加工系统，包括合成釜、环化釜，过滤装置、分层器、蒸馏釜、结晶釜和离心机，所述过滤装置和分层器间设置有水洗罐；所述蒸馏釜与结晶釜间设置有预结晶釜；
[0005]所述水洗罐包括水洗罐体，所述水洗罐体内从上到下间隔设置有一组筛板，水洗罐体的顶部设置有进料口，水洗罐体的下部位于最底层筛板的下方设置有水洗液进口；所述水洗罐体的底部且位于水洗液进口的下方为锥形集料仓，锥形集料仓的底部设置有出料口；
[0006]所述预结晶釜包括预结晶釜体，设置在预结晶釜体内的第二搅拌桨；所述预结晶釜的温度位于蒸馏釜和结晶釜之间，温度为45℃～62℃。
[0007]为减少逆反应的发生，从而减少杂质的含量和提高得率，所述环化釜包括环化釜体，设置在环化釜体内的第一搅拌桨，在第一搅拌桨的外侧圆周方向上间隔均匀设置有一组挡片，挡片与环化釜体内壁间设置有回流间隙；所述环化釜体上设置有排汽管，排汽管上设置有第一冷凝器，所述第一冷凝器的另一端连接设置有接收罐，接收罐的底部连接设置有回流管；所述接收罐上还设置有第一抽真空管。
[0008]为进一步保证环化釜的真空度，所述环化釜体上还设置有片碱进料缓存器，所述片碱进料缓存器包括缓存舱，缓存舱的进料端设置有进料阀，缓存舱的出料端设置有出料阀，所述缓存舱上还连接设置有第二抽真空管。
[0009]为提高蒸馏釜的去杂效果，所述蒸馏釜包括蒸馏釜体，所述蒸馏釜体的顶部设置有进去离子水口和甲醇进料口，蒸馏釜体的顶部还设置有排气口和甲醇排气口；所述进去离子水口和甲醇进料口上均安装有进液管，所述进液管一直延伸至蒸馏釜体的底部，且在进液管的出液口位置处设置有进液单向阀。
[0010]为避免TGIC在蒸馏釜内局部结晶将杂质和副产品包裹入结晶体内，所述甲醇进料口管道连接有甲醇高位槽，所述甲醇高位槽内设置有保温装置且甲醇高位槽的出料口高度高于甲醇进料口。
[0011]为进一步去除挥发性的杂质，所述离心机之后还设置有混料机，所述混料机为螺旋混料机，包括混料机舱体，水平设置在混料机舱体内的转动轴，设置在转动轴上的一组混料桨；所述混料机舱体上设置有排气管，混料机舱体的外侧还设置有夹套。
[0012]为进一步提高水洗罐的水洗效果，所述筛板的一端与水洗罐体间设置有流动间隙，且相邻两筛板与水洗罐体间的流动间隙相对设置；所述筛板的网孔目数为5～8目。
[0013]为去除固体盐，所述过滤装置包括板框过滤器和精密过滤器，所述板框过滤器的纱网目数为200～300目，所述精密过滤器的纱网目数为800～1000目。
[0014]为便于α型TGIC和β型TGIC的分离结晶，所述第二搅拌桨的下方设置有可收折的结晶收集网，所述预结晶釜体的底部设置有可开启的底盖，底盖上设置有结晶出料口。
[0015]本技术的有益效果：本技术通过在现有设备基础上增加了水洗罐，物料在静置分层前先通过水洗，去除料液内游离氯离子和催化剂铵盐等杂质，从而提高TGIC的纯度。所述水洗罐采取下端进水，上端进料的结构，在自重力的作用下使有机相由高处穿过水层，对液滴内的氯离子、催化剂等进行去除，水洗效果好。所述蒸馏釜和结晶釜间设置预结晶釜，由于预结晶釜温度处于蒸馏釜和结晶釜之间，通过预结晶釜进一步去除杂质和进行预结晶，从而使TGIC能够实现均相成核，避免TGIC直接从蒸馏釜到结晶釜，温差过大，形成非均相成核，导致杂质包裹在晶体内的问题，从而大大提高TGIC产品的纯度。本技术还对环化釜、蒸馏釜的结构进行了改进，环化釜采用密闭的负压环境下进行，并通过排汽管不断将釜内的水蒸气排出，减少逆反应的发生，从而提高产品的得率和减少杂质的含量，在源头上控制杂质的数量。同时，环化釜体中的挡片，能够提高对片碱的剪切力，从而提高片碱与物料的接触面积，提高反应效率，使片碱反应的更加彻底，减少残留量。所述蒸馏釜设有进去离子水口和甲醇进料口，可以先后通过添加去离子水和甲醇，通过先后添加去离子水和甲醇参与蒸馏，从而带走更多的环氧氯丙烷及其他易蒸发的杂质，提高TGIC粗产品的纯度。蒸馏釜内还设置进液管，通过进液管进入的甲醇和去离子水直接混入TGIC溶液内，与物料进行充分混合，从而提高气提去杂的效果。同时，通过甲醇高温槽对甲醇进行加热，避免冷甲醇进入蒸馏釜后，导致蒸馏釜内局部温度降低，使局部物料提前结晶，结晶颗粒容易包裹副产品，影响产品纯度的问题。所述混料机能够进一步去除挥发性的杂质，进一步提高TGIC产品的纯度。因此，本技术通过对系统的一系列改进，能够显著提高TGIC生产加工的纯度及得率。
[0016]以下将结合附图和实施例，对本技术进行较为详细的说明。
附图说明
[0017]图1为本技术的系统框图。
[0018]图2为本技术中合成釜的结构示意图。
[0019]图3为本技术中环化釜的结构示意图。
[0020]图4为本技术中水洗罐的结构示意图。
[0021]图5为本技术中蒸馏釜的结构示意图。
[0022]图6为本技术中预结晶釜的结构示意图。
[0023]图7为本技术中预结晶釜内结晶收集网的安装结构示意图。
[0024]图8为本技术中离心机和混料机的结构示意图。
具体实施方式
[0025]实施例1：一种高纯度TGIC加工系统，如图1所示，包括依次设置的合成釜1、环化釜2、过滤装置3、水洗罐8、分层器4、蒸馏釜5、预结晶釜9、结晶釜6、离心机7和混料机10。本技术通过在滤装置3和分层器4间设置水洗罐8，对料液进行水洗去杂，同时，在蒸馏釜5与结晶釜6间设置有预结晶釜9，通过预结晶避免形成非均相成核，导致杂质包裹在晶体内的问题。以下具体描述本技术各设备的结构，以更好的说明本技术能够提高TGIC加工的纯度。
[0026]如图2所示，所述合成釜1包括合成釜体11，设置在合成釜体11内的第一冷却盘管12，所述合成釜体11上设置有第三抽真空管13。在现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯度TGIC加工系统，包括合成釜(1)、环化釜(2)、过滤装置(3)、分层器(4)、蒸馏釜(5)、结晶釜(6)和离心机(7)，其特征在于：所述过滤装置(3)和分层器(4)间设置有水洗罐(8)；所述蒸馏釜(5)与结晶釜(6)间设置有预结晶釜(9)；所述水洗罐(8)包括水洗罐体(81)，所述水洗罐体(81)内从上到下间隔设置有一组筛板(82)，水洗罐体(81)的顶部设置有进料口(83)，水洗罐体(81)的下部位于最底层筛板(82)的下方设置有水洗液进口(84)；所述水洗罐体(81)的底部且位于水洗液进口(84)的下方为锥形集料仓(85)，锥形集料仓(85)的底部设置有出料口(86)；所述预结晶釜(9)包括预结晶釜体(91)，设置在预结晶釜体(91)内的第二搅拌桨(92)；所述预结晶釜(9)的温度位于蒸馏釜(5)和结晶釜(6)之间，温度为45℃～62℃。2.如权利要求1所述的高纯度TGIC加工系统，其特征在于：所述环化釜(2)包括环化釜体(21)，设置在环化釜体(21)内的第一搅拌桨(22)，在第一搅拌桨(22)的外侧圆周方向上间隔均匀设置有一组挡片(29)，挡片(29)与环化釜体(21)内壁间设置有回流间隙(210)；所述环化釜体(21)上设置有排汽管(23)，排汽管(23)上设置有第一冷凝器(24)，所述第一冷凝器(24)的另一端连接设置有接收罐(25)，接收罐(25)的底部连接设置有回流管(26)；所述接收罐(25)上还设置有第一抽真空管(27)。3.如权利要求2所述的高纯度TGIC加工系统，其特征在于：所述环化釜体(21)上还设置有片碱进料缓存器(28)，所述片碱进料缓存器(28)包括缓存舱(281)，缓存舱(281)的进料端设置有进料阀(282)，缓存舱(281)的出料端设置有出料阀(283)，所述缓存舱(281)上还连接设置有第二抽真空管(284)。4.如权利要求1所述的高纯度TGIC加工系统，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李大伟，方婀娜，吴永一，盛海生，
申请(专利权)人：黄山友谊南海新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：