基片处理系统及其方法技术方案

本发明专利技术提供一种基片处理系统及其方法，该基片处理系统包括：设有框架开口的框架；以及被配置成耦合到所述框架并且覆盖所述框架开口的至少一部分的薄膜，所述薄膜包括薄膜开口，其中所述薄膜开口的薄膜开口面积等于或小于所述框架开口的框架开口面积；其中所述薄膜被配置用于与所述基片耦合，其中当所述基片与所述薄膜耦合时，所述基片覆盖所述薄膜开口，且所述薄膜被配置为将所述基片维持在相对于所述框架的设定位置；且所述薄膜开口面积小于所述基片的总面积，基于该基片处理系统的处理方法能够避免翻转基片，以提高太阳能电池组件的成品质量。的成品质量。的成品质量。

【技术实现步骤摘要】
基片处理系统及其方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种基片处理系统及其方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池也称为光伏电池，是利用光伏效应将太阳能辐射直接转化为电能的发电技术，其具有资源充足、清洁、安全、使用寿命长等优点，被认为是最具有前景的可再生能源技术之一。
[0003]目前太阳能电池中的硅异质结电池具有低温制备、工艺步骤简单、温度系数优越、产品稳定性好等优点，有望成为光伏行业的主流技术之一。该硅异质结电池包括：单晶硅基片，在对单晶硅基片的前后表面进行纹理化处理后，再形成位于单晶硅基片正面和背面的本征层，以及正面本征层上的N型掺杂层和背面本征层上的P型掺杂层，再形成位于N型掺杂层上的导电透明层和P型掺杂层上的导电透明层。
[0004]然而，目前用于制备硅异质结电池的现有系统需要将系统分解成若干段反应室并要求自动化设备将基片分配到基片载体上，然后在处理之后将基片收集回去。同时还需要翻转基片，从而完成在基片的背侧沉积等离子，但是这样做，一方面，翻转基片就不得不夹持基片，夹持动作有可能会损伤到基片；另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：设有框架开口的框架；以及薄膜；所述薄膜被配置成耦合到所述框架并且覆盖所述框架开口的至少一部分，所述薄膜包括薄膜开口，其中，所述薄膜开口具有等于或小于所述框架开口的框架开口面积的薄膜开口面积；其中，所述薄膜被配置用于与所述基片耦合，当所述基片与所述薄膜耦合时，所述基片覆盖所述薄膜开口，并且所述薄膜被配置为将所述基片保持在相对于所述框架的设定位置；以及所述薄膜开口面积小于所述基片的总面积。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括基片，其中，所述基片被配置用于耦合到所述薄膜，且覆盖所述薄膜开口。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述基片经由粘合剂或经由一个或多个夹具耦合到所述薄膜。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，当所述薄膜耦合到所述框架时，所述薄膜处于张力状态。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述薄膜的至少一部分是太阳能电池的部件。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括传输轨道；所述传输轨道被配置用于在所述薄膜耦合到所述框架时输送所述框架，以及在所述基片耦合到所述薄膜时输送所述框架。7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述框架包括第一磁体，并且其中所述传输轨道包括第二磁体，所述第二磁体被配置为与所述框架的所述第一磁体相互作用，以将所述框架保持在相对于所述传输轨道的某个位置。8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括多个处理站，其中所述传输轨道被配置为顺序地将所述框架，所述薄膜和所述基片移动到所述多个处理站。9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述系统还包括蚀刻站、等离子体增强化学气相沉积法PECVD站和物理气相沉积PVD站中的至少两个：所述蚀刻站，被配置为提供用于所述基片的干蚀刻；所述PECVD站，被配置为提供用于所述基片的PECVD沉积；所述PVD站，被配置为提供用于所述基片的PVD沉积。10.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括存储器；所述存储器经配置以容纳承载多个基片的多个框架，其中所述多个框架中的至少一个为具有所述框架开口的所述框架，且其中所述多个基片中的至少一个为耦合到所述薄膜的所述基片。11.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述薄膜被配置为在所述基片周围形成密封。12.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述薄膜包括附加薄膜开口，其中所述薄膜被配置为与附加基片耦合，使得所述附加基片覆盖所述附加薄膜开口。13.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统被配置为处理所述基片以制造一个或多个太阳能电池。14.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述框架包括抗等离子体涂层。15.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括设置在所述薄膜的第一表面上的
第一隔离栅格，以及设置在所述薄膜的第二表面上的第二隔离栅格，其中所述薄膜的所述第二表面与所述薄膜的所述第一表面相对。16.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括垂直保持机构，所述垂直保持机构被配置为垂直地保持所述框架。17.一种基片处理方法，其特征在于，包括：提供设有框架开口的框架，以及被配置成耦合到所述框架并且覆盖所述框架开口的至少一部分的薄膜；将基片耦合到设有所述薄膜开口的所述薄膜上；将所述框架，所述薄膜和所述基片保持垂直取向；当所述基片呈垂直取向时，在所述基片的第一表面上形成第一I层；当所述基片垂直取向时，在所述基片的第二表面上形成第二I层，所述基片的所述第二表面与所述第一表面相对；当所述基片垂直取向时，在所述第一I层上形成N层；以及当所述基片垂直取向时，在所述第二I层上形成P层。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：在所述基片的所述第一表面上方形成第一导电层；以及在所述基片的所述第二表面上方形成第二导电层。19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一导电层包括第一掺锡氧化铟ITO层，并且所述第二导电层包括第二ITO层。20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括：在所述基片耦合到所述薄膜的同时在所述基片的所述第一表面上方形成第一导电线，所述第一导电线连接到所述第一导电层的表面；以及在所述基片耦合到所述薄膜的同时在所述基片的所述第二表面上方形成第二导电线，所述第二导电线连接到所述第二导电层的表面。21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，其中所述第一导电线延伸超过所述基片的第一边缘。22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第二导电线延伸超出所述基片的第二边缘，所述第二边缘与所述基片的所述第一边缘相对。23.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷仲礼，
申请(专利权)人：德鸿半导体设备浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：