IGBT器件及其制作方法技术

本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件包括超结结构，超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成，超结结构位于N型衬底中；IGBT器件的元胞单元，元胞单元位于N型外延层中，N型外延层位于N型衬底的上方；每个元胞单元包括沟槽栅、P型体区、位于P型体区顶部的源区；N型载流子注入层，N型载流子注入层位于N型外延层中，N型载流子注入层与N型衬底之间间隔有N型外延层；P型体区的底部位于N型载流子注入层中；集电区，集电区位于N型衬底的底部；通过增加N型载流子注入层，增加了空穴浓度，降低了IGBT器件的导通压降，提升了器件性能。提升了器件性能。提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种IGBT器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)器件具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单等特点，被广泛应用在交通、医疗、新能源等领域。
[0003]IGBT是电力电子系统能量控制和转换的重要开关元器件之一，它的性能直接影响着电力电子系统的转换效率、体积和重量。电力电子器件的性能在发展过程中追求着更高的电流密度、更小的通态压降、更低的关断损耗。

技术实现思路

[0004]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种IGBT器件及其制作方法。该技术方案如下：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括：
[0006]超结结构，超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成，超结结构位于N型衬底中；
[0007]IGBT器件的元胞单元，元胞单元位于N型外延层中，N型外延层位于N型衬底的上方；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：超结结构，所述超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成，所述超结结构位于N型衬底中；IGBT器件的元胞单元，所述元胞单元位于N型外延层中，所述N型外延层位于所述N型衬底的上方；每个所述元胞单元包括沟槽栅、P型体区、位于P型体区顶部的源区；N型载流子注入层，所述N型载流子注入层位于所述N型外延层中，所述N型载流子注入层与所述N型衬底之间间隔有所述N型外延层；所述P型体区的底部位于所述N型载流子注入层中；集电区，所述集电区位于所述N型衬底的底部。2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括层间介质层和正面金属层；所述层间介质层位于所述N型外延层的上方，所述正面金属层位于所述层间介质层的表面；所述层间介质层中形成有接触孔，所述源区和所述沟槽栅通过所述接触孔与所述正面金属层连接。3.根据权利要求1所述IGBT器件，其特征在于，所述N型载流子注入层的掺杂杂质为磷。4.一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在N型衬底中形成超结结构，所述超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成；在所述N型衬底表面形成N型外延层；在所述N型外延层中形成N型载流子注入层，所述N型载流子注入层与所述N型衬底之间间隔有所述N型外延层；在所述N型外延层中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，张同博，姚一平，杨继业，邢军军，陈冲，黄璇，孙鹏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：