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本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件包括超结结构，超结结构由若干个N型柱和P型柱交替排列构成，超结结构位于N型衬底中；IGBT器件的元胞单元，元胞单元位于N型外延层中，N型外延层位于N型衬底的上方；每...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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