【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于有机电致发光元件的空穴注入/传输层的成膜的成膜 用组合物以及由该成膜用组合物形成了空穴注入/传输层的有机电致发光 元件。
技术介绍
通过湿式成膜法形成有机电致发光元件的空穴注入层的内容在下述 专利文献1 3中有记载。文献1公开了采用下述溶液通过旋涂法来形成空穴注入/传输层的方 法，所述溶液为将作为空穴传输材料的含芳香族二胺的聚醚和作为电子接受性化合物的三(4-溴苯基)铵六氯锑酸盐(TBPAH)溶解在二氯甲烷中而 得到的溶液。文献2公开了使用含有聚醚(该聚醚含有芳香族二胺)的1，2-二氯乙垸 溶液通过旋涂法形成空穴注入层的方法。文献3公开了使用4，4，-双[(N-(间甲苯基)-N-苯基氨基]联苯与作为 电子接受性化合物的五氯化锑的混合物的1,2-二氯乙烷溶液通过旋涂法 形成空穴传输层的方法。在下述专利文献4和5中记载了用于通过喷墨法来成膜空穴注入/传 输层的组合物。文献4中公开了一种涂布液，其是将酞菁铜或作为导电性高分子的 聚乙烯二氧噻吩(PEDT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)分散在由水和低级醇等形 成的混合溶剂中而得到的涂布液。文献5中公开了一种涂...
【技术保护点】
一种成膜用组合物，该组合物用于有机电致发光元件的空穴注入／传输层的成膜，其含有空穴注入／传输性材料和／或电子接受性化合物并含有溶解该材料和／或该化合物的液体，该组合物的特征在于：所述液体含有第１溶剂，所述第１溶剂的分子内具有芳香环和 ／或脂环并具有氧原子，且其沸点为２００℃以上或２５℃时的蒸气压为１托以下；所述第１溶剂在该组合物中的含量为３重量％以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-2-15 037902/20051、一种成膜用组合物，该组合物用于有机电致发光元件的空穴注入/传输层的成膜，其含有空穴注入/传输性材料和/或电子接受性化合物并含有溶解该材料和/或该化合物的液体，该组合物的特征在于所述液体含有第1溶剂，所述第1溶剂的分子内具有芳香环和/或脂环并具有氧原子，且其沸点为200℃以上或25℃时的蒸气压为1托以下；所述第1溶剂在该组合物中的含量为3重量％以上。2、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述液体实质 上仅由所述第1溶剂组成。3、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述液体含有 所述第1溶剂并含有第2溶剂，该第2溶剂的分子内具有芳香环和/或脂 环并具有氧原子且不属于第1溶剂；第2溶剂的重量含量\￥2与第1溶剂 的重量含量W,之比W2/W，为1 20。4、 如权利要求3所述的成膜用组合物，其特征在于，所述重量含量 比W/W,为1 2.5。5、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述第1溶剂 为芳香族酯。6、 如权利要求5所述的成膜用组合物，其特征在于，所述芳香族酯 为苯甲酸酯。7、 如权利要求6所述的成膜用组合物，其特征在于，所述苯甲酸酯 为苯甲酸乙酯。8、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述液体含有 两种以上的第l溶剂。9、 如权利要求8所述的成膜用组合物，其特征在于， 一种第l溶剂 为蒸发性较高的第1溶剂，另一种第1溶剂为沸点更高或25C时的蒸气 压更低的蒸发性较低的第1溶剂，蒸发性较高的第1溶剂的重量含量Wa和蒸发性较低的第1溶剂的重10、 如权利要求9所述的成膜用组合物，其特征在于，所述重量含 量比Wa/Wb为1 2.5。11、 如权利要求9所述的成膜用组合物，其特征在于，所述蒸发性 较高的第1溶剂为苯甲酸酯，所述蒸发性低的第1溶剂为具有芳香环的 乙酸酯。12、 如权利要求ll所述的成膜用组合物，其特征在于，所述苯甲酸 酯为苯甲酸乙酯，所述具有芳香环的乙酸酯为乙酸2-苯氧基乙酯。13、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述空穴注 入/传输性材料为芳香族胺化合物，所述电子接受性化合物为芳香族硼化 合物和/或其盐。14、 如权利要求1所述的成膜用组合物，其特征在于，所述组合物 中...
【专利技术属性】
技术研发人员：永山健一，绪方朋行，饭田宏一朗，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，先锋公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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