一种超疏水导热多层膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超疏水导热多层膜及其制备方法，包括如下步骤：采用等离子体增强化学气相沉积技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜；采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜；采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜；重复制备碳膜及铜纳米膜表面再次沉积碳膜的步骤2～4次；对所制备的多层膜在氢气氛围保护下高温烧结；采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理。通过上述步骤所获得的多层膜具有优异的超疏水和导热功能，在电子元器件散热和防水方面具有很好的应用前景。元器件散热和防水方面具有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种超疏水导热多层膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于超疏水和导热薄膜材料制备
，具体涉及一种超疏水导热多层膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着工业和电子科学技术的不断发展，电子产品不断微型化、集成化和高性能化，由此导致电子系统和芯片在运行过程中将产生大量热量。如果产生的热量不能及时散出, 这些累积的热量将引起电子系统和芯片温度过高，特别是电子模块与外界环境之间过大的温差会形成热应力，直接影响电子芯片的电性能、工作频率、机械强度以及可靠性。并且，电子系统和设备中的金属电路在长期使用过程中，内部金属电路及芯片可能会受潮或遇到水，这将导致金属电路及芯片发生腐蚀或短路，导致电子产品性能衰退、失效甚至可能引发重大事故。此外，电子产品能够在严苛的高温高湿甚至腐蚀的环境中持续稳定地工作也成为高性能特种电子产品必须具备的性能。因此，开发一种兼具防水和导热功能的薄膜材料在电子系统和芯片散热和防水方面具有很好的应用价值。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在为电子系统和芯片在散热和防水材料和技术方面提供一种超疏水导热多层膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超疏水导热多层膜及其制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜；（2）采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤（1）中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜；（3）采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在步骤（2）中所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜；（4）依次重复步骤（2）、步骤（3）2～4次；（5）对步骤（4）中所制备的多层膜在氢气氛围保护下实施高温烧结处理；（6）采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对步骤（5）中所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理，获得超疏水导热多层膜。2.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜及其制备方法，其特征在于，步骤（1）中高纯甲烷的纯度为99.999%及以上，高纯四氟化碳的纯度为99.9999%，PECVD沉积参数为：射频功率300～450W，射频频率13.56MHz，基片温度350～400℃，腔体压强50～90Pa，通入高纯甲烷气体流量30～50sccm，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，沉积时间30～50分钟。3.根据权利要求1所述的一种超疏水导热多层膜及其制备方法，其特征在于，步骤（2）中高纯铜靶的纯度为99.9995%及以上，磁控溅射沉积参数为：射频功率180～280W，射频频率13.56MHz，基片温度350～400℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜礼华，韩梦梦，侯萍萍，何思妙，向鹏，肖婷，杨雄波，谭新玉，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：