基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法及其应用技术方案

本发明专利技术公开了一种基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法及其应用。本发明专利技术方法仅需对转染了一种标准FRET质粒的细胞进行三通道荧光成像，通过物理分析与数学计算方程，即可计算得到FRET系统矫正参数β，λ，G因子和k因子，将原本至少需使用四种实验样本减少到一种，极大减少了必须使用的生物样本数量，提高了实验效率，具有很高的便捷性、稳定性和可靠性。和可靠性。和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
88,7
‑
15(2016).]曾提出将两种转染不同质粒的细胞放在同一个细胞培养皿中进行G值测量的方法，保证表达两种FRET质粒的细胞的测量在相同条件下，实现对一皿细胞进行数据采集并计算G值，在一定程度上提高了实验效率。尽管到目前为止科研人员为获取准确的系统矫正参数对测量方法做了一些改进，但实际测量过程仍然要求单独转染供体和单独转染受体的细胞并转染两种以上的质粒，并且至少需使用四种实验样本，实验过程复杂并且效率有待提高。这对在活细胞中实施FRET测量十分不利，阻碍了FRET技术被更为广泛的应用。

技术实现思路

[0006]本专利技术的首要目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法。
[0007]本专利技术的另一目的在于提供所述基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法的应用。
[0008]本专利技术的目的通过下述技术方案实现：
[0009]一种基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法，包括如下步骤：
[0010](1)圈选细胞区域获取三通道平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于单一标准FRET质粒测量FRET系统矫正参数的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)圈选细胞区域获取三通道平均荧光强度数据将已知效率值E1与供体受体浓度比R1的标准FRET质粒转染到细胞中，待转染的质粒表达成功后，先选定n个细胞分别进行三通道荧光成像，获得三通道平均荧光强度I
DD
、I
AA
、I
DA
图像，然后在I
DD
、I
AA
、I
DA
图像中的细胞里圈选m个不同细胞区域，分别获得三通道平均荧光强度I
DD1
、I
AA1
、I
DA1
，I
DD2
、I
AA2
、I
DA2
......I
DDm
、I
AAm
、I
DAm
，并以第1个细胞区域获得的三通道平均荧光强度I
DD1
、I
AA1
、I
DA1
为第一小组数据，以第2个细胞区域获得的三通道平均荧光强度I
DD2
、I
AA2
、I
DA2
为第二小组数据，依次类推，以第m个细胞区域获得的三通道平均荧光强度I
DDm
、I
AAm
、I
DAm
为第m小组数据，再以2个细胞区域的数据为一组，将数据两两分为t组；其中，n为正整数且n≥1，m≥2，t≥1；(2)计算FRET系统矫正参数β，λ，G因子和k因子
①
根据步骤(1)中得到的t组数据中的第一组数据和如下方程计算FRET系统矫正参数β1，λ1，G1和k1：min f(β1，λ1，G1，k1)＝|y1|+|y2|+|y3|+|y4|；β1＞0；λ1＞0；G1＞0；k1＞0；λ
′
+e＞λ1＞λ
′‑
e；β
′
+e1＞β1＞β
′‑
e1；0＜e1＜1；0＜e＜1；其中：其中：其中：其中：λ
′
为供体发射光谱和受体发射滤光片光谱通带交点处最高效率值e
Dα
与供体发射光谱和供体发射滤光片光谱通带交点处最高效率值e
Dd
的比值λ
′
＝e
Da
/e
Dd
；β
′
为受体激发光谱和供体激发滤光片光谱通带交点处最高效率值e
dA
与受体激发光谱和受体激发滤光片光谱通带交点处最高效率值e
aA
的比值乘以供体激发和受体激发的照明相对强度比φ的结果值β
′
＝(e
dA
/e
aA
)*φ；
②
将步骤
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈同生，刘智，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：