半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种能得到稳定的特性的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：在GaN系的半导体层上形成包含氯的电子束抗蚀剂的工序；在所述电子束抗蚀剂形成使所述半导体层的表面的一部分露出的第一开口的工序；形成覆盖所述第一开口的侧壁面的收缩剂的膜的工序；以及在所述侧壁面由所述收缩剂的膜覆盖的状态下，形成经过所述第一开口与所述半导体层相接的Ni膜的工序。导体层相接的Ni膜的工序。导体层相接的Ni膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]作为半导体装置之一，已知有使用氮化镓(GaN)系的氮化物半导体的高迁移率晶体管(high electron mobility transistor：HEMT，高电子迁移率晶体管)。作为形成了使用GaN系的氮化物半导体的HEMT(以下，有时称为GaN－HEMT)的栅电极的方法，公开了使用电子束抗蚀剂进行剥离(lift
‑
off)的方法(专利文献1、2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005－107116号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2006/080109号
[0007]在通过以往的方法制造出的半导体装置中，有时特性不均。例如，有时无法得到所希望的阈值电压。

技术实现思路

[0008]本公开的目的在于提供一种能得到稳定的特性的半导体装置的制造方法。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有：在GaN系的半导体层上形成包含氯的电子束抗蚀剂的工序；在所述电子束抗蚀剂形成使所述半导体层的表面的一部分露出的第一开口的工序；形成覆盖所述第一开口的侧壁面的收缩剂的膜的工序；以及在所述侧壁面由所述收缩剂的膜覆盖的状态下，形成经过所述第一开口与所述半导体层相接的Ni膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述收缩剂的膜的工序具有：以填充所述第一开口的方式涂布所述收缩剂的工序；通过烘烤来使所述收缩剂的与所述电子束抗蚀剂相接的部分固化的工序；以及去除所述收缩剂的未固化的部分的工序。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述烘烤的温度为120℃以上且250℃以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述收缩剂含有聚乙烯基系醇衍生物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一开口的宽度为150nm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，具有在形成所述Ni膜的工序之后在所述Ni膜的上方形成Au膜的工序。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，具有在形成所述Au膜的工序之后去除所述电子束抗蚀剂和所述收缩剂的工序。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：平崎贵英，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：