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本公开提供一种能得到稳定的特性的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：在GaN系的半导体层上形成包含氯的电子束抗蚀剂的工序；在所述电子束抗蚀剂形成使所述半导体层的表面的一部分露出的第一开口的工序；形成覆盖所述第一开口的侧壁面的收缩...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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