电气元件、存储装置、及半导体集成电路制造方法及图纸

电气元件，具备第一电极（１）、第二电极（３）、以及在第一电极（１）和第二电极（３）之间被连接的可变电阻薄膜（２）。可变电阻薄膜（２），含Ｆｅ（铁）及Ｏ（氧）作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电气元件、存储装置、及半导体集成电路
电阻材料的电气元件、存储器装置和半导体集成电路。技术背景 近几年，随着在电子机器的数字技术的发展，为了保存影像等 数据，对不挥发性存储元件的期望大为增加，进一步地对存储容量的大容 量化、写入时功率的削减、写入/读出时间的高速化、长寿命化的要求愈 来愈高。对于这样的要求，在美国专利第6204139号公报明确提出以下技料(譬如Pro-x)CaxMnO(PCMO)、 LaSrMn03(LSMO)、 GdBaCoxOGBCO)等)来构成 不挥发存储元件的技术。也就是，通过向这些材料(以下记为可变电阻材料) 给予规定的电脉冲来增加或减少其电阻值、而将变化的电阻值用于不同数 值的存储，作为存储元件加以使用。 并且，在日本特开2004-342843号公报(专利文献2)提出了一 种有关不挥发性存储元件的技术，该不挥发性存储元件为，通过在非结晶 氧化物(譬如Ti、 V、 Fe、 Co、 Y、 Zr、 Nb、 Mo、 Hf、 Ta、 W、 Ge、 Si中选出 1个以上的元素的氧化物)设置银(Ag)或铜(Cu)电极施加(impress)电压， 使得作为电极材料的银本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电气元件，其特征在于：包括：第一电极，第二电极，和连接到上述第一电极和上述第二电极之间的可变电阻薄膜；上述可变电阻薄膜，含铁及氧作为构成元素，氧含有量在薄膜厚度方向产生变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-12-22 369090/20051.一种电气元件，其特征在于包括第一电极，第二电极，和连接到上述第一电极和上述第二电极之间的可变电阻薄膜；上述可变电阻薄膜，含铁及氧作为构成元素，氧含有量在薄膜厚度方向产生变化。2. 根据权利要求l所述的电气元件，其特征在于 上迷可变电阻薄膜含有多个基准层，该多个基准层在上述薄膜厚度方向连续叠层；上迷多个基准层的每一个所示的氧含有量，和与该基准层邻接的基准 层所示的氧含有量不同。3. 根据权利要求1所述的电气元件，其特征在于 上述可变电阻薄膜包含多个周期单位层，该多个周期单位层在上述薄膜厚度方向连续叠层；上述多个周期单位层的每一个含有在上述薄膜厚度方向连续叠层的多 个基准层；上述多个基准层的每一个所示的氧含有量，和与该基准层邻接的基准 层所示的氧含有量不同。4. 根据权利要求3所述的电气元件，其特征在于 上迷多个基准层是，显示第一氧含有量的第一基准层、和显示第二氧含有量且在上述第一基准层上被叠层的第二基准层。5. 根据权利要求3所述的电气元件，其特征在于 上述多个基准层的每一个所示的氧含有量，和在与该基准层相同的周期单位层中所含的其他基准层的每一个所示的氧含有量不同。6. 根据权利要求1所述的电气元件，其特征在于 上述可变电阻薄膜含有在上述薄膜厚度方向连续被叠层的多个周期单 位层，上述多个周期单位层的每一个在薄膜厚度方向的氧含有量连续性变化。7. 根据权利要求3或6所述的电气元件，其特征在于 上述周期单位层的厚度在50nm以下。8. 根据权利要求l所述的电气元件，其特征在于 上述可变电阻薄膜的厚度在200nm以下。9. 根据权利要求l所述的电气元件，其特征在于 上述第一电极及上迷第二电极中至少一个是使用银、金、铂、钌、铱、二氧化釕、二氧化铱的其中一个所构成的电极。10. 根据权利要求1所述的电气元件，其特征在于 上述电气元件，通过向上述第一电极和上述第二电极之间施加规定的电脉冲使电阻值变化，来存储l比特或多比特的信息。11. 根据权利要求1所述的电气元件，其特征在于 上述电气元件，通过向上述第一电极和上述第二电极之间施加规定的电压，使对应该电气元件的电阻值的电流流过，来读出1比特或多比特...

【专利技术属性】
技术研发人员：小佐野浩一，村冈俊作，三谷觉，名古久美男，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]