描述了一种用于红、绿和蓝ＬＥＤ的底座，其中底座具有底座中的热隔离沟道和／或孔，使得由绿、蓝ＡｌＩｎＧａＮ ＬＥＤ产生的高热量不能传导到红ＡｌＩｎＧａＰ ＬＥＤ。底座包含互连多种结构的ＬＥＤ的导体。在一个实施例中，ＡｌＩｎＧａＰ ＬＥＤ在底座中凹入，使得所有的ＬＥＤ具有相同的光出射平面。底座可以用于产生其它颜色的ＬＥＤ，例如黄色、琥珀色、橙色和青色。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管(LED)，尤其是涉及用于热隔离不同类型 的多色LED的安装衬底。
技术介绍
已知的是将红、绿和蓝LED管芯安装在单个底座上以产生白光模 块。底座是导热和电绝缘衬底(例如陶瓷)，具有形成在其上的导体， 该导体从LED触点引导到两个或者多个引线或者焊料接触焊盘。导体通 常串联和/或并联地互连至少一些LED。然后通常将底座安装在具有引导 到电源和/或其它底座的连接器的印刷电路板上。将由每个管芯产生的 热量传输到底座并最终到热耦合到底座的散热器(例如电路板)。由于 整个底座基本上为相同的温度，所以和其它LED相比产生相对低热量的 LED将纟皮其它LED加热。例如，由红色LED产生的热量可以4氐于由蓝色 LED产生的热量，因为需要的电流流过红色LED以产生所需要的光输 出。通常使用AlInGaP外延层形成红色和琥珀色LED,同时通常使用 AlInGaN外延层形成绿色和蓝色LED。 AlInGaPLED的光输出对温度非常 敏感(更高温=更低输出)并且远远比AlInGaNLED更敏感。因此，RGB 模块的整体颜色将随着温度而改变。尤其不希望的是，当模块使用在彩 色显示器中或者用作平板显示背光使用时。另外，AlInGaP LED的过渡 加热降低了其使用寿命。另外，由于红色LED通常具有厚的窗口层，所以红色LED通常比蓝 色LED厚。因此，红色LED较高地设置在公共底座上，导致红色和绿色 /蓝色LED具有不同的光输出出射平面。这导致模块整体颜色输出的变 化。为了避免上述的加热问题，RGB LED可以安装在单独的底座上面， 但是这导致了附加的费用、RGB模块的更大面积、跨过额外电线的电压 降以及其它缺点。
技术实现思路
描述了一种用于红色、绿色和蓝色LED的底座，其中在底座中底座 具有热隔离沟道和/或孔，使得由绿色/蓝色AlInGaN LED产生的高热量 不能传导到热敏感的红色/琥珀色AlInGaP LED。底座包含以多种结构互 连LED的导体。在一个实施例中，AlInGaPLED在底座中是凹入的，使得所有的LED 具有相同的光出射平面。底座可以用于产生其它颜色例如黄色、琥珀色、橙色和青色的LED。附图的简要说明附图说明图1是RGB LED底座的顶-现图，示出了用于AlInGaP LED的LED ^立置、中心凹入部分的以及底座中的热隔离沟道。图2是底座的顶视图，示出了用于一些LED的接触焊盘。图3是底座和LED的部分截面图，示出了热隔离沟道和孔。图4是底座的部分横截面图，还示出了将LED电极电耦合到多个到体和底部焊料焊盘的通孔。图5是底座的底视图，示出了多种焊料焊盘，其可以以任何结构连4妄到LED电极。图6是使用安装在底座上的RGB LED作为背光的液晶显示器(LCD) 的横截面图。具体描述作为正文前的内容，形成不同类型和颜色的常规LED。在使用的例 子中， 一种类型的LED是GaN基LED，例如AlInGaN LED，用于产生绿 色、青色、蓝色或者UV光。通常来说，使用常规的技术在蓝宝石衬底 上生长p和n型外延GaN层。P层通常是上层并通过上表面上的金属电 极接触。使用多种技术获得对下面的n层的电连接。在倒装晶片中，刻蚀掉 p层和有源层的一部分以露出用于金属化的n层。以这种方式，p触点 和n触点在芯片的相同侧上，并可以直接电连接到底座接触焊盘上。来 自n金属触点的电流最初横向流过n层。相反，在垂直注入(非倒装晶 片)LED中，在芯片的一侧上形成n触点，在芯片的另一侧上形成p触点。p或者n触点的其中一个的电连接通常由一根电线或者一个金属桥 来完成，另一个触点直接连接到底座接触焊盘。尽管在例子中使用了倒 装晶片GaN LED，但是电线连4矣GaN LED同样可以受益于本专利技术。对于红色、琥珀色、橙色和黄色光，使用AlInGaP材料系统形成 LED。在AlInGaP LED中，在生长或者晶片连接导电窗口层之后，通常 在GaAs衬底上生长p和n型外延AlInGaP层。可以去除掉吸光的GaAs 衬底。LED可以形成为倒装晶片或者使用电线连接。使用名称AlInGaN和Al InGaP表示具有含任何Al和In百分比(包 括零)的GaN或者GaP基的以得到所需要颜色的LED。形成这种多色LED的方法是已知的。在美国专利号6649440、 6547249、 6274399、 6229160和5233204中描述了形成LED的一些例子， 所有的都指派给Lumileds Lighting并引作参考。将LED的晶片切成小块以产生通常小于等于lmW等级的单个LED管心0为了在单才莫块中组合不同颜色的LED (例如AlInGaN和AlInGaP LED)以产生白光或者一些其它组合的颜色，参考有关图1-5所述的将 LED管芯安装在底座10上。底座10是由电绝缘材料例如陶瓷构成的层。在其它实施例中，底 座可以是硅，其中氧化物层提供电绝缘。示出了 LED 12-23。在其它实施例中可以使用更多或者更少的LED。 在凹入的中心位置26中安装热敏感的AlInGaP LED 20-23。 LED 20-23 通常发出红色、橙色、琥珀色或者黄色的光(也就是波长大于575冊)。 LED 12-19是GaN基并通常发出蓝色、青色或者绿色的光(也就是波长 小于575nm) 。 GaN LED比Al InGaP LED的热敏感性小。八个GaN LED 将通常发出大于四个AlInGaP LED的热量，因为可以将更多的电流施加 给GaN LED以得到所需要的亮度(GaN LED比AlInGaP LED效率更低)， 并且存在更多的GaN LED产生热量。为了使GaN LED 12-19和AlInGaP LED20-23真正热隔离，在底座 10中形成沟道28-31以使得在GaN LED和AlInGaP LED之间的导热3各径 断开。为了维持结构的完整性沟道28-31不完全地限制AlInGaP LED;然 而，在其它实施例中沟道完全限制AlInGaP LED。 图2示出了用于四个AlInGaP LED的接触焊盘34和用于GaN LED 的一组接触焊盘38的例子。为了简单只示出了一组GaN接触焊盘38， 在底座10上可能存在很多不同的接触焊盘布置。在例子中，AlInGaP LED不是倒装晶片，并需要用于上电极的电线 连接。用于AlInGaP LED的接触焊盘34是由直接焊接到AlInGaP LED 的下电极(例如n电极)的金属(例如金)焊盘40和用于在AlInGaP LED 的上电极(例如p电极)和焊盘42之间进行线连接的金属焊盘42构成 的。在该例子中的GaN LED是倒装晶片，在管芯的下部具有n和p金属 电极。用于GaN LED的接触焊盘38是由一组n触点44和一组p触点46 构成，它们和LED的下表面上的n和p电极对准。在一个实施例中触点 是金的。将电极分布成更均匀地分布流过LED有源层的电流。在美国专 利号6547249中描述了使用这种分布的n和p电极的倒装晶片，指派给 本代理人。图3是沿着图1的中心线3-3底座10的一部分的横截面图。为了 更好地展示重要特征该图没必要按比例画。在该例子中，底座10是由 三个陶瓷层50、 51、 52构成的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管（ＬＥＤ）结构，包括：底座，包括电绝缘体、电导体、在第一表面上的第一接触焊盘和在第一表面上的第二接触焊盘，所述第一接触焊盘用于连接到至少第一ＬＥＤ，所述第二焊盘用于连接到至少第二ＬＥＤ；以及在第一接触焊盘和第二接触焊盘之间的第一表面中的至少一个中断，用于增加连接到第一接触焊盘的第一ＬＥＤ和连接到第二接触焊盘的第二ＬＥＤ之间的热隔离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-4-29 11/118,8981.一种发光二极管(LED)结构，包括底座，包括电绝缘体、电导体、在第一表面上的第一接触焊盘和在第一表面上的第二接触焊盘，所述第一接触焊盘用于连接到至少第一LED，所述第二焊盘用于连接到至少第二LED；以及在第一接触焊盘和第二接触焊盘之间的第一表面中的至少一个中断，用于增加连接到第一接触焊盘的第一LED和连接到第二接触焊盘的第二LED之间的热隔离。2. 如权利要求l的结构，其中第一 LED是GaP基LED以及其中第 二LED是GaN基LED。3. 如权利要求1的结构，其中该底座具有中间部分和围绕该中间 部分的外部，其中第一接触焊盘在中间部分中，第二接触焊盘在外部中 以及至少一个中断在中间部分和外部之间。4. 如权利要求1的结构，还包括底座的凹入部分，在其上支撑着 第一接触焊盘。5. 如权利要求1的结构，其中该至少一个中断包括隔离第一接触 焊盘和第二接触焊盘的至少 一 个沟道。6. 如权利要求l的结构，其中第二LED是倒装晶片。7. 如权利要求l的结构，其中第一 LED具有通过电线连接到所述 第 一接触焊盘之一 的 一个电极。8. 如权利要求l的结构，其中底座包括两层或者多层电绝缘材料， 作为第一表面的第一层的表面，其中该至少一个中断包括形成在第一层 中的至少一个沟道。9. 如权利要求l的结构，其中底座包括两层或者多层电绝缘材料， 底座还包括在至少两个层之间的电导体。10. 如权利要求9的结构，其中电导体互连第一接触焊盘和第二接 触焊盘。11. 如权利要求l的结构，其中底座包括电绝缘材料的至少第一层 和第二层，该第一层的表面是所述第一表面，其中该至少一个中断包括 形成在该...
【专利技术属性】
技术研发人员：FJ小沃尔，
申请(专利权)人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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