【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要应用于高功率法拉第隔离器设计，尤其是能够减小高功率法拉第隔离器热致 退偏的一种设计方法。
技术介绍
在高功率条件下，由于隔离器中Faraday旋转晶体热吸收系数较高，隔离器热效应引起的 退偏成为减小隔离度的主要因素。高功率隔离器热致退偏主要分为两种机制线性双折射引 起的退偏与圆双折射引起的退偏。在光斑半径与Faraday晶体半径之比很小时(这种情况通常 满足)，圆双折射引起的退偏与线性双折射引起的退偏大小相当。为降低高功率隔离器线性双 折射引起的退偏，目前通常把旋转角为;r/8的两块Famday旋转晶体用一块旋转角度为37r/8 的旋转晶体串联组成的复合结构代替仅有一块旋转角度为"/4的Faraday旋转晶体的简单结 构，这样在前一块Faraday晶体产生的线性双折射在后一块Famday晶体中得到部分补偿。而隔 离器中圆双折射引起的退偏在这种复合结构中并没有得到补偿，因此圆双折射引起的退偏仍 然是引起高功率隔离器退偏的一个重要因素。
技术实现思路
为了克服复合结构不能补偿圆双折射引起退偏的不足，本专利技术提出了一种高功率隔离器 圆双折射补偿设计方法，该方法能够减小高功率隔离器中圆双折射引起的退偏。本专利技术的目的是对高功率隔离器中圆双折射引起的退偏进行预补偿，其采取的技术解决方案是针对一定激光功率，控制隔离器参数，使其与理想隔离器参数有一定的偏移量，即隔离器设计中存在一个的预退偏，这种偏移量设计可以通过改变磁场强度或Famday晶体长 度偏移理想值实现。预退偏大小随激光功率的增大而增大。当隔离器工作在高功率时，由于 圆双折射隔离器将产生新的...
【技术保护点】
一种减小高功率法拉第隔离器热致退偏的设计方法，其特征是：设计Ｆａｒａｄａｙ旋转晶体旋转角度与传统设计值有一定的偏离，偏离大小由激光功率决定。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：葛廷武，陆丹，伍剑，徐坤，林金桐，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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