具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件制造技术

在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列、输入/输出(I/O)电路以及耦合到I/O电路的控制逻辑。存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M。I/O电路耦合到N个主库和M个冗余库，并且被配置为分别将N个数据片段引导到N个工作库或从N个工作库引导N个数据片段。控制电路被配置为基于指示N个主库中的K个故障主库的库故障信息从N个主库和M个冗余库确定N个工作库。N个工作库包括M个冗余库中的K个冗余库，其中，K为不大于M的正整数。控制电路被还配置为控制I/O电路，以分别将N个数据片段中的K个数据片段引导到K个冗余库或从K个冗余库引导N个数据片段中的K个数据片段。个数据片段中的K个数据片段。个数据片段中的K个数据片段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件

技术介绍

[0001]本公开涉及存储器器件及其操作方法。
[0002]闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器或NAND闪存存储器。随着闪存存储器中的存储器单元的数量持续增加，在存储器器件的制造期间可能发生故障(坏)存储器单元。
[0003]例如，大多数NAND闪存存储器器件与一些故障存储器单元一起从代工厂运出。这些单元通常根据指定的故障单元标记策略来识别。通过允许一些坏的单元，制造商可以实现比在所有单元必须被验证为好的情况下可能的产量更高的产量。这显著地降低了NAND闪存存储器成本，并且仅略微降低了部件的存储容量。

技术实现思路

[0004]在一个方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列、输入/输出(I/O)电路以及耦合到I/O电路的控制逻辑。存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M。I/O电路耦合到N个主库和M个冗余库，并且被配置为分别将N个数据片段引导到N个工作库或从N个工作库引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M；输入/输出(I/O)电路，所述输入/输出电路耦合到所述N个主库和所述M个冗余库，并且被配置为分别将N个数据片段引导到N个工作库或从所述N个工作库引导所述N个数据片段；以及控制逻辑，所述控制逻辑耦合到所述I/O电路，并且被配置为：基于指示所述N个主库中的K个故障主库的库故障信息从所述N个主库和所述M个冗余库确定所述N个工作库，所述N个工作库包括所述M个冗余库中的K个冗余库，其中，K为不大于M的正整数；并且控制所述I/O电路，以分别将所述N个数据片段中的K个数据片段引导到所述K个冗余库或从所述K个冗余库引导所述N个数据片段中的所述K个数据片段。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述I/O电路耦合到所述N个主库和所述M个冗余库中的每一对相邻库，使得所述I/O电路被配置为将所述N个数据片段中的一个数据片段引导到一对相邻库中的任一库或从所述一对相邻库中的所述任一库引导所述N个数据片段中的所述一个数据片段。3.根据权利要求书2所述的存储器器件，其中，至少一对相邻库均为主库。4.根据权利要求2或3所述的存储器器件，其中所述一对相邻库中的第一库是所述K个故障主库中的一个故障主库；并且所述控制逻辑被配置为控制所述I/O电路以将数据片段引导到所述一对相邻库中的第二库或从所述一对相邻库中的所述第二库引导所述数据片段。5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述I/O电路包括分别耦合到所述N个主库和所述M个冗余库的一组写入多路复用器(MUX)；并且所述一组写入MUX包括：第一写入MUX，所述第一写入MUX具有两个输入和耦合到所述第一库的输出，所述两个输入中的一个输入被配置为输入所述数据片段；以及第二写入MUX，所述第二写入MUX具有两个输入和耦合到所述第二库的输出，所述两个输入被配置为分别输入所述数据片段和另一数据片段。6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为：控制所述第一写入MUX以禁止将所述数据片段输出到所述第一库；并且控制所述第二写入MUX以使能将所述数据片段输出到所述第二库。7.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述I/O电路包括耦合到所述N个主库和所述M个冗余库的一组读取多路复用器(MUX)；并且所述一组读取MUX包括读取MUX，所述读取MUX具有分别耦合到所述第一库和所述第二库的两个输入以及被配置为输出所述数据片段的输出。8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述控制逻辑还被配置为控制所述读取MUX以使能从所述第二库输出所述数据片段。
9.根据权利要求1
‑
8中的任何一项所述的存储器器件，其中，M等于1。10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述冗余库通过所述I/O电路耦合到所述N个主库中的两个主库。11.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器器件包括三维(3D)NAND存储器器件。12.一种系统，包括：被配置为存储数据的存储器器件，所述存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括N个主库和M个冗余库，其中，N和M中的每一个为正整数，并且N大于M；输入/输出(I/O)电路，所述输入/输出电路耦合到所述N个主库和所述M个冗余库，并且被配置为分别将N个数据片段引导到N个工作库或从所述N个工作库引导所述N个数据片段；以及控制逻辑，所述控制逻辑耦合到所述I/O电路，并且被配置为：基于指示所述N个主库中的K个故障主库的库故障信息从所述N个主库和所述M个冗余库确定所述N个工作库，所述N个工作库包括所述M个...

【专利技术属性】
技术研发人员：林尚伍，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：