非易失性存储器件及操作方法技术

技术编号:31307816 阅读:28 留言:0更新日期:2021-12-12 21:29
一种非易失性存储器件的操作方法包括:对连接到邻近目标字线的相邻字线的相邻存储单元执行读取操作,以确定相邻数据;根据所述相邻数据将连接到所述目标字线的目标存储单元分类成组;通过搜索至少一个所述组中的目标存储单元的读取电压电平来设置每一个所述组的读取电压电平;以及使用为每一个所述组设置的所述读取电压电平对目标存储单元执行读取操作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件及操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10

2020

0060623的权益,其主题通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及存储器件,并且更具体地,涉及非易失性存储器件及非易失性存储器件的操作方法。

技术介绍

[0004]存储器件用于存储数据,并且通常可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。所谓的闪存器件是一种常用于移动电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动计算设备、个人计算机等中的非易失性存储器。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例提供了展现出提高的可靠性和更好的整体读取性能的存储器件、存储系统和/或操作该存储器件的方法。
[0006]根据本专利技术构思的一个方面,提供了一种非易失性存储器件的操作方法,所述方法包括:对连接到邻近目标字线的相邻字线的相邻存储单元执行读取操作,以确定相邻数据;根据所述相邻数据将连接到所述目标字线的目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件的操作方法,所述方法包括:对连接到邻近目标字线的相邻字线的相邻存储单元执行读取操作,以确定相邻数据;根据所述相邻数据将连接到所述目标字线的目标存储单元分类成组;通过搜索至少一个所述组中的目标存储单元的读取电压电平来设置每一个所述组的读取电压电平;以及使用为每一个所述组设置的所述读取电压电平对目标存储单元执行读取操作。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:基于所述相邻数据将所述相邻存储单元分类成组;以及将所述目标存储单元分类为与相应的相邻存储单元所属的组相对应的组。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:存储从连接到至少一条位线的相邻存储单元读取的所述相邻数据;以及基于所述相邻数据,确定与相邻存储单元共享位线的目标存储单元属于所述组中的哪个组。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:通过将从相邻存储单元读取的相邻数据的逻辑高状态或逻辑低状态与存储在目标存储单元中的数据进行匹配,将所述目标存储单元分类成所述组。5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:根据所述相邻存储单元的阈值电压分布,将每个所述相邻存储单元的所述相邻数据分类成逻辑高状态或逻辑低状态。6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:通过将所述相邻存储单元的编程状态与所述目标存储单元的编程状态相乘,将如下目标存储单元设置成第一组:所述目标存储单元的相邻存储单元的编程状态为逻辑高状态。7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述的将目标存储单元分类成组包括:通过将所述相邻存储单元的所述编程状态的反转值与所述目标存储单元的所述编程状态相乘,将如下目标存储单元分类为第二组:所述目标存储单元的相邻存储单元的编程状态为逻辑低状态。8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述的为每一个所述组设置读取电压电平包括:对在与预设读取电压电平周围的多个外围电压电平相对应的所述组之中的第一组中的存储单元的数目进行计数;以及基于计数得到的存储单元的数目,将所述外围电压电平之一设置为所述第一组的第一读取电压电平。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述的为每一个所述组设置读取电压电平包括:将所述多个外围电压电平之中具有最小计数数目的存储单元的外围电压电平设置为所述第一组的所述第一读取电压电平。10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述的为每一个所述组设置读取电压电平包括:基于属于与所述第一组不同的第二组的存储单元的预设偏移值来设置所述第二组的第二读取电压电平。11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非易失性存储器件包括存储单元阵列,并且所述方法还包括:
将所述目标字线的所述读取电压电平设置为所述存储单元阵列的多条字线的读取电压电平。12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非易失性存储器件包括存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:金承范
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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