一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺制造技术

本发明专利技术公开一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，本方法在铁电存储器成长功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；所述预退火是指将待成长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200

【技术实现步骤摘要】
一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺


[0001]本专利技术涉及一种新型双层铁电存储器其中一层的预退火工艺，具体而言，设计了一种新的双退火工艺，制备氧化铪基的新型铁电存储器。

技术介绍

[0002]三星、美光和SK hynix等主要DRAM厂商已经生产出缩小至15 纳米设计规则（D / R）的DRAM单元。现在，他们正在开发n + 1和n + 2世代，即所谓的1a（或1α）和1b（或1β），这意味着采用EUV的DRAM单元D / R可能能够进一步缩小至12纳米以下。由于图形化、漏电流和感测裕度的挑战，单元尺寸微缩的速度越来越慢。Graphic DRAM和高带宽内存(例如GDDR6(X)和HBM2(E))采用20 纳米或10 纳米级的DRAM技术节点。通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。
[0003]随着主要NAND制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：本方法在铁电存储器成长功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；所述预退火是指将待成长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200
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500摄氏度之间时，保持时间T1，T1之后，快速退火，当温度退到40
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60摄氏度时，取出待成长功能层的存储器；后退火是指将生长好上电极的存储器放入退火炉内，在氮气的氛围下，用速度V2升温，温度到达400
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700摄氏度之间时，保持时间T2，T2之后，快速退火，当温度推到40
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60摄氏度时，取出生长好上电极的存储器。2.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：V1=（15
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20）摄氏度每秒。3.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于： V2=（15
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20）摄氏度每秒。4.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：T1= 30
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90秒。5.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：T2= 30
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90秒。6.根据权利要求1所述的可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：预退火和后退火的快速退火是...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰智，台路，魏巍，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：