一种半导体芯片制造专用激光退火设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体芯片制造专用激光退火设备，涉及激光退火技术领域，具体包括底板，底板上表面的两侧均开设有滑槽，底板通过滑槽滑动连接有连接件，连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆，丝杆的中部螺纹连接有安装模组，连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆，限位杆贯穿连接在安装模组上，安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件，承载件的上表面搭接有半导体芯片。通过底板与顶板上的连接件、丝杆、安装模组、承载件与滑槽，使得设备可以在水平面上有效构筑直坐标系，进而极大地方便工作人员对半导体芯片进行移动操作，使得半导体芯片可移动范围得到极大地增加，同时极大地增加了装置的实用性与适用性。极大地增加了装置的实用性与适用性。极大地增加了装置的实用性与适用性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片制造专用激光退火设备


[0001]本技术涉及激光退火
，具体为一种半导体芯片制造专用激光退火设备。

技术介绍

[0002]退火是一种材料热处理工艺，指的是将材料缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。退火的目的是降低材料的硬度，改善切削加工性；降低残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷，随着集成电路的发展，对其损伤区、电学参数恢复程度以及注入离子电激活率的要求也越来越高。常规的热退火方法不能完全消除缺陷，对高剂量注入晶片的电激活率不够高，还会产生二次缺陷，并且在热退火过程中，整个晶片(包括注入层和衬底)都要经受一次高温处理，增加了表面污染，特别是高温长时间的热退火会导致明显的杂质再分布，破坏粒子注入技术固有的优点，限制了其在VLSI中的应用。
[0003]一种半导体芯片制造专用激光退火设备是一种常用的激光退火设备，但其在实际使用过程中大多单方向移动芯片承载件，因此对于芯片的部分边缘不易进行工艺处理，因此极大地影响了芯片的品质。

技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片制造专用激光退火设备，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)上表面的两侧均开设有滑槽(2)，所述底板(1)通过滑槽(2)滑动连接有连接件(3)，所述连接件(3)一侧表面的中部活动安装有丝杆(4)，所述丝杆(4)的中部螺纹连接有安装模组(5)，所述连接件(3)一侧表面的两侧固定连接有限位杆(6)，所述限位杆(6)贯穿连接在安装模组(5)上，所述安装模组(5)的上表面通过螺栓固定安装有承载件(7)，所述承载件(7)的上表面搭接有半导体芯片(8)，所述连接件(3)的一侧固定安装有电机(10)。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备，其特征在于：所述底板(1)下表面的两侧均通过螺栓固定连接有底座(9)，所述电机(10)的输出端贯穿连接在连接件(3)上，并与丝杆(4)的一端相固定连接。3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备，其特征在于：所述底板(1)上表面的四角处均固定连接有支柱(11)，所述支柱(11)的顶端固定连接有顶板(12)，所述顶板(12)下表面的两侧同样开设有滑槽(2)，四个所述滑槽(2)在俯视视角构成矩形阵列。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：亓信中，王文东，
申请(专利权)人：江苏联芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：