用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件，所述校准组件包括：本体，所述本体包括底座和校准圆环，所述底座适于安装在所述坩埚轴上，所述校准圆环为多个且均设在所述底座的远离所述坩埚轴的一侧，多个所述校准圆环同轴设置且内外套设配合，且每个所述校准圆环的轴线适于与所述坩埚轴的轴线平行。根据本实用新型专利技术的用于长晶炉的校准组件，结构简单，使用方便，可以便捷准确进行监测装置校准，且校准精确。且校准精确。且校准精确。

【技术实现步骤摘要】
用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件


[0001]本技术涉及长晶炉
，尤其涉及一种用于长晶炉的校准组件和长晶炉组件。

技术介绍

[0002]硅单晶是半导体行业至关重要的原料，现在单晶硅的主要生产方法为直拉法，首先将原料多晶硅放入到石英坩埚中加热融化，再在液面上浸入一直径约为10mm的籽晶，在合适的温度下籽晶与熔体达到热平衡，液面会在表面张力的作用下吸附在籽晶下方，然后旋转并向上提升籽晶，那些吸附的液体也会跟随向上运动，从而形成过冷状态，具有过冷状态的硅原子会顺着籽晶的排列结构在固液交界面形成规则的结晶体，周而复始最终形成一根圆柱形的硅单晶体。
[0003]为了获得稳定合格的产品，在长晶过程中，对于直径的测量、籽晶的对中等都进行严格的监控，但现有技术中，对于测量直径的CCD的安装、校准等等没有标准的工装，一般都是采用在石墨坩埚中加入一个塑料板作为基准面，在利用卡尺测量该基准面与CCD的距离，人工观察结果进行校准，使得误差较大。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]为此，本技术提出一种用于长晶炉的校准组件，所述校准组件结构简单，使用方便，可以实现对监测装置的校准，校准精确，有利于提升晶体品质。
[0006]本技术还提出一种具有上述校准组件的长晶炉组件。
[0007]根据本技术第一方面实施例的用于长晶炉的校准组件，所述长晶炉包括坩埚轴和坩埚，所述坩埚轴用于带动所述坩埚沿所述坩埚轴的轴向移动和绕所述坩埚轴的轴线转动，所述校准组件包括：本体，所述本体包括底座和校准圆环，所述底座适于安装在所述坩埚轴上，所述校准圆环为多个且均设在所述底座的远离所述坩埚轴的一侧，多个所述校准圆环同轴设置且内外间隔设置，且每个所述校准圆环的轴线适于与所述坩埚轴的轴线平行。
[0008]根据本技术实施例的用于长晶炉的校准组件，通过设置多个校准圆环，监测装置测量多个校准圆环的直径以实现多次校准，结构简单，使用方便，校准精确，有利于提升长晶炉生产的晶体的品质。
[0009]进一步地，所述校准组件还包括：光源，所述光源设在所述本体上。
[0010]进一步地，所述光源包括：光源组，所述光源组设在所述底座上，且至少相邻两个所述校准圆环之间设有所述光源组，所述光源组包括沿所述校准圆环的周向间隔设置的多个光源件。
[0011]在一些实施例中，所述校准圆环为非金属材料件。
[0012]在一些实施例中，所述校准组件，还包括：测距装置，所述测距装置设在所述本体
上，且用于测量所述测距装置与所述长晶炉的导流筒在所述坩埚轴的移动方向上的距离。在一些实施例中，所述校准组件还包括：转数计数装置，所述转数计数装置用于测量所述本体的转数，且包括发射器和接收器，所述接收器与所述发射器配合以接收所述发射器的发出的信号，所述发射器和所述接收器中的其中一个设在所述本体上，所述发射器和所述接收器中的另一个适于设在所述长晶炉的炉体上。
[0013]在一些实施例中，所述底座的远离所述坩埚轴的一侧表面上设有至少一个对中校准环，每个所述对中校准环与所述校准圆环同轴设置，且所述对中校准环适于与所述长晶炉的籽晶配合，以校准所述对中校准环与所述籽晶的同轴度；任选地，所述对中校准环为一个，或者所述对中校准环为多个，多个所述对中校准环内外间隔设置。
[0014]进一步地，最内侧的所述对中校准环的直径d满足：1mm≤d≤3mm。
[0015]在一些实施例中，所述底座形成为板状结构，所述本体还包括：支撑环，所述支撑环设在所述本体上且位于多个所述校准圆环的外侧。
[0016]根据本技术第二方面实施例的长晶炉组件，包括：长晶炉，所述长晶炉包括炉体和设在所述炉体上的监测装置，所述监测装置用于获取晶体的直径；校准组件，所述校准组件为根据上述实施例所述的用于长晶炉的校准组件，且至少用于对所述监测装置进行校准。
[0017]根据本技术第二方面实施例的长晶炉组件，通过采用上述校准组件，可以对监测装置实现多次校准，结构简单，使用方便，校准精确，有利于提升长晶炉生产的晶体的品质。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1为根据本技术一个实施例的校准组件正视图。
[0021]图2为根据本技术一个实施例的校准组件剖视图。
[0022]图3为根据本技术一个实施例的长晶炉和校准组件剖视图。
[0023]附图标记：
[0024]校准组件100、长晶炉200、
[0025]本体1、底座11、校准圆环12、
[0026]测距装置2、支撑环3、
[0027]转数计数装置4、发射器41、接收器42、
[0028]对中校准环5、
[0029]光源6、光源组61、光源件611、
[0030]炉体20、坩埚轴21、籽晶22、监测装置23、观察窗24、导流筒25。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始
至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]下面参考图1
‑
图3描述根据本技术实施例的用于长晶炉200的校准组件100及长晶炉组件。
[0034]如图1
‑
图3所示，根据本技术实施例的用于长晶炉200的校准组件100，长晶炉200包括坩埚轴21和坩埚，坩埚轴21用于带动坩埚沿坩埚轴21的轴向移动和绕坩埚轴21的轴线转动，校准组件100包括本体1和测距装置2。本体1包括底座11和校准圆环12，底座11适于安装在坩埚轴21上，校准圆环12为多个且多个校准圆环12均设在底座11的远离坩埚轴21的一侧，多个校准圆环12同轴设置，且多个校准圆环12内外间隔设置，且每个校准圆环12的轴线适于与坩埚轴21的轴线平行，则多个校准圆环12的直径互不相同。
[0035]其中，需要说明的是，在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。例如，在图1的示例中，校准圆环12为三个；当然，校准圆环12还可以设置为两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于长晶炉的校准组件，其特征在于，所述长晶炉(200)包括坩埚轴(21)和坩埚，所述坩埚轴(21)用于带动所述坩埚沿所述坩埚轴(21)的轴向移动和绕所述坩埚轴(21)的轴线转动，所述校准组件(100)包括：本体(1)，所述本体(1)包括底座(11)和校准圆环(12)，所述底座(11)适于安装在所述坩埚轴(21)上，所述校准圆环(12)为多个且均设在所述底座(11)的远离所述坩埚轴(21)的一侧，多个所述校准圆环(12)同轴设置且内外间隔设置，且每个所述校准圆环(12)的轴线适于与所述坩埚轴(21)的轴线平行。2.根据权利要求1所述的用于长晶炉的校准组件，其特征在于，还包括：光源(6)，所述光源(6)设在所述本体(1)上。3.根据权利要求2所述的用于长晶炉的校准组件，其特征在于，所述光源(6)包括：光源组(61)，所述光源组(61)设在所述底座(11)上，且至少相邻两个所述校准圆环(12)之间设有所述光源组(61)，所述光源组(61)包括沿所述校准圆环(12)的周向间隔设置的多个光源件(611)。4.根据权利要求2所述的用于长晶炉的校准组件，其特征在于，所述校准圆环(12)为非金属材料件。5.根据权利要求1所述的用于长晶炉的校准组件，其特征在于，还包括：测距装置(2)，所述测距装置(2)设在所述本体(1)上，且用于测量所述测距装置(2)与所述长晶炉(200)的导流筒(25)在所述坩埚轴(21)的移动方向上的距离。6.根据权利要求1所述的用于长晶炉的校准组件，其特征在于，还包括：转数计数装置(4)，所述转数计数装置(4)用于测量所述本体(1)的转数，且包括发射器(41)和接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜子棋，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：