评价装置及使用此评价装置的评价方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示装置，包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管使用通过激光使非晶硅膜结晶化的多晶硅膜，其中在显示品质这点上，就必须减少基板面内的多晶硅膜粒径的偏差。但是，在光学方式管理多晶硅膜的表面的凹凸的方法中，仅能够把握极微小级别的偏差。根据本发明专利技术的评价装置，由于在绝缘性基板（１）上包括多个评价单元（１０１）、对评价单元（１０１）施加电压的信号布线（１０５）、以及用于通过信号取出布线（１０６）测量来自评价单元（１０１）的输出的信号取出布线用输出端子焊盘（１０４），因此就能容易地测量电气特性的面内分布。此外，通过评价与多晶硅膜的结晶粒径相关联的电气特性，就能够管理多晶硅膜的结晶粒径的面内偏差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于评价M对非晶半导体膜照射激光而得到的多晶半导 体膜的膜品质的评价装置和使用此评价装置的评价方法。
技术介绍
目前，作为常规的薄型面板之一的液晶显示器件(LCD)具有低功耗和重 量轻这样的特点。活用这些特征，LCD正被广泛地用于个人计算机的监视器或 便携式信息终端设备的监视器等中。此外，近年来，代替现有的阴极射线管， 也作为TV用途被广泛应用。但是，LCD存在所谓视角舰比度柳艮制，对动 画对应的高速响应的追踪困难的问题。作为清除了这种问题的下一代薄型面板 用器件，正在逐步4柳EL显示器件。这是将EL元件这样的发光体用在像素 显示部的电致发光型EL显示器件。如此，EL显示器件具有自发光型、宽视角、 高对比度、高速响应等LCD没有的特征。在这些显示器件中，作为开关元件可iOT薄膜晶体管(TFT)。作为TFT， 大多舰用j顿半导体膜的MOS结构。在TFT中，有逆交错型和顶栅型这样 的类型，半导体薄膜也有非晶半导体膜和多晶半导体膜。它们都可以按照显示 器件的用途或性能来适当地进行选择。在小型面板中，大多数使用多晶半导体 膜。4顿多晶半导体膜的TFT比4顿非晶半导体膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种评价装置，其特征在于，包括：绝缘性基板；在上述绝缘性基板上配置、分别包括薄膜晶体管的多个评价单元；用于对上述各元件施加电信号的第１布线；用于从上述各元件中取出电输出的第２布线；和扫描布线；通过将上述多个评价单元分别电连接在上述第１布线、上述第２布线和上述扫描布线上，使得上述多个评价单元各自连接；将从上述第２布线延伸的端子焊盘设置在上述绝缘性基板上。

【技术特征摘要】
JP 2006-12-14 2006-3369421、一种评价装置，其特征在于，包括绝缘性基板；在上述绝缘性基板上配置、分别包括薄膜晶体管的多个评价单元；用于对上述各元件施加电信号的第1布线；用于从上述各元件中取出电输出的第2布线；和扫描布线；通过将上述多个评价单元分别电连接在上述第1布线、上述第2布线和上述扫描布线上，使得上述多个评价单元各自连接；将从上述第2布线延伸的端子焊盘设置在上述绝缘性基板上。2、 根据权利要求1所述的评价装置，其特征在于，上述评价单元还包括 电容元件。3、 根据权利要求1所述的评价装置，其特征在于，二维配置上述评价单元。4、 根据禾又利要求1所述的评价，其特征在于，，评价单元包括使 用多晶半导体膜制作的战薄膜晶体管。5、 根据权利要求4所述的评价，其特征在于，多晶半导体膜是6、 根据权利要求4所述的评价装置，其特征在于，M对非晶半导体膜 照射激光使上述多晶半导体膜多晶化。7、 一种评价方法，使用权利要求1所述评价装置，其特征在于，包括 通过上述第1布线对上述薄膜晶体管施加电压的工序； 通过上述扫描布线对上述薄膜晶体管施加多个电压值的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹口彻，本并薰，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]