联合平面FET和鳍片FET的器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件。所述器件包括：在单晶硅衬底中形成的平面ＦＥＴ，所述ＦＥＴ包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离；以及在单晶硅块上形成的鳍片ＦＥＴ，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片ＦＥＴ包括第二沟道区域、在所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极漏极以及栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路器件领域，更具体而言涉及一种联合平面FET与 鳍片(Fin) FET的器件。
技术介绍
半导体工业的特征在于晶体管尺寸的不断减小和晶体管密度的不断增 加。除常规平面FET之外，已经开发了鳍片FET。然而，联合平面FET 与鳍片FET导致了很多问题，减少了器件的密度而不是增加器件的密度。 因此，需要以较致密的结构联合平面FET与鳍片FET。
技术实现思路
本专利技术的第一方面是一种器件，包括在单晶硅村底中形成的平面 FET，所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的 第一和第二源极漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离；以及在单晶硅块(block)中形成的鳍 片FET，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片 FET包括第二沟道区域、在所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的 第三和笫四源极漏极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域 电隔离。附图说明在所附权利要求中阐述了本专利技术的特征。然而，通过参考下列示例性 实施例的详细说明并结合附图来阅读，将最好地理解本专利技术本身，其中 图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：平面ＦＥＴ，其被形成在单晶硅衬底中，所述ＦＥＴ包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极／漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述第一沟道区域电隔离；以及鳍片ＦＥＴ，其被形成在单晶硅块中，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片ＦＥＴ包括第二沟道区域、所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极／漏极以及所述栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。

【技术特征摘要】
US 2006-12-14 11/610,5331.一种器件，包括平面FET，其被形成在单晶硅衬底中，所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极/漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述第一沟道区域电隔离；以及鳍片FET，其被形成在单晶硅块中，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片FET包括第二沟道区域、所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极/漏极以及所述栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。2. 根据权利要求l的器件，所述平面FET还包括 附加的栅极，其在所述第二沟道区域之下并通过第三栅极介质层与所述第二沟道区域分离。3. 根据权利要求l的器件，其中所述第二沟道区域重叠所述第一沟道 区域以形成倒置的T ，，。4. 根据权利要求l的器件，还包括到所述第一源极/漏极的第一接触、 到所述第二源...

【专利技术属性】
技术研发人员：A布赖恩特，WF小克拉克，BA安德森，EJ诺瓦克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]