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本发明涉及一种半导体器件。所述器件包括：在单晶硅衬底中形成的平面ＦＥＴ，所述ＦＥＴ包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离；以及在单晶硅...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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