焊料球及基材板的接合方法及应用其的封装结构的制造方法技术

一种焊料球及基材板的接合方法及应用其的封装结构的制造方法。焊料球及基材板的接合方法中，首先提供一基材板，基材板包括一电极层及一基底材料层，电极层是设置于基底材料层上。其次，形成一阻障层于电极层上。再来，形成一金属层于阻障层上，此金属层的厚度大约为１０微米～１８微米。而后，配置一焊料球于金属层上。接下来，加热焊料球、金属层、阻障层及电极层至一反应温度。然后，维持反应温度达一持温时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种焊料球及基材板的接合方法及应用其的封装结构的制造方 法，且特别是有关一种应用于无铅工艺的焊料球及基材板的接合方法及应用其的 封装结构的制造方法。
技术介绍
随着电子产品在市场上愈来愈受到消费者的喜爱，业界无不致力发展多功能 化的产品，以符合市场需求。随着电子产品的多功能化，其中所包含的电子零组 件数量也愈来愈多。因此，如何有效且可靠地将各式各样的电子零组件接合于基 板上，为目前产品工艺中重要课题之一。常见的接合电子零组件与基板的方法， 是采用共晶组成的锡铅焊料来进行焊接，但由于铅为重金属，除了会对于环境造 成污染之外，还会对人体造成不良的影响。因此目前业界均致力开发更为环保的 无铅焊料来进行焊接，以降低产品中含铅的量。一般而言，无铅焊料的液化温度约为217°C，相较于传统锡铅焊料的液化温度，大约高了 4(TC。也就是说，采用无铅焊料来进行焊接的方式，相对提高了工艺温度，增加了对于基板或是电子元 件造成的伤害，限制了此种无铅工艺的应用领域。冃前业界是提出一种降低无铅焊料的方法，利用在无铅焊料的中添加铟或铋 等低熔点的金属，以降低无铅焊料的液化温度。然而其中的铟为贵金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊料球及基材板的接合方法，包括：提供一基材板，包括一电极层及一基底材料层，该电极层是设置于该基底材料层上；形成一阻障层于该电极层上；形成一金属层于该阻障层上，该金属层的厚度大约为１０微米～１８微米；配置一 焊料球于该金属层上；加热该焊料球、该金属层、该阻障层及该电极层至一反应温度；以及维持该反应温度达一持温时间。

【技术特征摘要】
1. 一种焊料球及基材板的接合方法，包括提供一基材板，包括一电极层及一基底材料层，该电极层是设置于该基底材料层上；形成一阻障层于该电极层上；形成一金属层于该阻障层上，该金属层的厚度大约为10微米～18微米；配置一焊料球于该金属层上；加热该焊料球、该金属层、该阻障层及该电极层至一反应温度；以及维持该反应温度达一持温时间。2. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于该金属层的材质为铟，且 利用电镀的方式形成于该阻障层上。3. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于该阻障层的材质为镍，且 利用电镀的方式形成于该电极层上。4. 如权利要求3所述的接合方法，其特征在于该阻障层的厚度大约为3 微米 7微米。5. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于该焊料球的材质为锡基的 无铅焊料。6. 如权利要求5所述的接合方法，其特征在于该焊料球的材质为锡-3.0 银-0.5铜(SAC)或锡-0.7铜(SC)。7. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于该反应温度大约为160°C 至200'C，该持温时间大约为3分钟至5分钟。8. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于该基材板为一大规模集成 电路芯片或一封装基板，且该电极层的材质为铜或铝。9. 如权利要求1所述的接合方法，其特征在于于维持该反应温度达该持 温时间后，该金属层实质上是完全消耗。10. —种封装结构的制造方法，包括提供一基材板，包括一基底材料层及一电极层，该基底材料层具有一第 一表面及一第二表面，该第一表面及该第二表面是相对设置，该电极层设置于该第一表面上；形成一阻障层于该电极层上；形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜怡文，魏弘尧，刘为开，铙建中，李嘉平，
申请(专利权)人：颜怡文，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]