一种局部电镀填孔的HDI板制造方法及HDI板技术

本发明专利技术提供一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，该方法包括压合铜箔：将铜箔压合在基板上，获得HDI板主体；钻孔：在压合后的HDI板主体上钻孔；一次干膜：在HDI板主体压设绝缘干膜，并在盲孔处镂空；电镀：对需要电镀的孔位进行选择性电镀；一次退膜：将一次干膜中的绝缘干膜退掉；二次干膜：在HDI板主体上压设第二张绝缘干膜，并使需要刻蚀的图形位置露出；蚀刻：将露出部位的铜蚀刻掉，露出基材；二次退膜：将蚀刻完成的HDI板主体上的绝缘干膜去掉，得到所需的HDI板。该方法通过两次干膜将HDI板的盲孔镀铜和表面镀铜分开，降低盲孔镀铜对面铜的影响，提高了面铜厚度的均匀度。本发明专利技术还提供一种采用上述的制造方法制成的HDI板。种采用上述的制造方法制成的HDI板。种采用上述的制造方法制成的HDI板。

【技术实现步骤摘要】
一种局部电镀填孔的HDI板制造方法及HDI板


[0001]本专利技术涉及线路板生产
，尤其涉及一种局部电镀填孔的HDI板制造方法及HDI板。

技术介绍

[0002]HDI电路板也称高密度互联板，是指孔径在6mil以下，孔环的环径在0.25mm以下，接点密度在130点/平方时以上，线宽/间距为3mil/3mil以下的印刷电路板。HDI电路板可降低多层PCB板的生产成本、增加线路密度，具有可靠度高、电性能好等优点。
[0003]在目前的HDI板制造镀铜过程中，都是整版电镀，镀孔铜的过程中同时电镀面铜。这种操作方法不仅繁琐，而且或造成面铜的厚度不均匀，影响电路板的质量。中国专利CN112752434A公开了一种新的HDI电路板电镀填孔工艺方法，该方法包括贴介质层、钻孔、除胶、溅镀、贴膜、曝光、显影、电镀等工艺。根据电镀设备夹具点进行掏空干膜，以便电镀夹具接触到铜面，把需要填孔电镀的盲孔进行贴膜曝光显影，不需要镀铜的面铜进行干膜覆盖，方便操作，减少人工来回搬运及设备产能浪费，让生产此类HDI板的生产效率提高一倍以上，同时电镀铜球损耗可以节约80％以上。然而该工艺是在绝缘干膜上制作菲林图，该过程复杂且容易造成图形剥离，导致镀铜不准确。

技术实现思路

[0004]为克服相关技术中存在的问题，本专利技术的目的之一是提供一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，该方法通过二次干膜将HDI板的盲孔镀铜和表面镀铜分开，降低盲孔镀铜对面铜的影响，提高了面铜厚度的均匀度。
[0005]一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，该方法包括以下步骤：
[0006]S1.压合铜箔：将铜箔压合在基板上，获得HDI板主体；
[0007]S2.钻孔：获取所需生产的HDI板上各孔的参数，在压合后的HDI板主体上钻孔；
[0008]S3.一次干膜：在所述HDI板主体压设绝缘干膜，并在盲孔处镂空；
[0009]S4.电镀：对需要电镀的孔位进行选择性电镀；
[0010]S5.一次退膜：电镀完成后，将所述步骤S3中压设的绝缘干膜退掉；
[0011]S6.二次干膜：在所述步骤S5中退膜后的HDI板主体上压设第二张绝缘干膜，获取需要刻蚀的图形数据，并使需要刻蚀的图形位置露出；
[0012]S7.蚀刻：将所述步骤S6中露出的部位的铜蚀刻掉，露出基材；
[0013]S8.二次退膜：将所述步骤S7中蚀刻完成的HDI板主体上的绝缘干膜去掉，得到所需的HDI板。
[0014]在本专利技术较佳的技术方案中，所述步骤S3包括：
[0015]S3.1前处理：去除所述HDI板主体上的胶渣、油污、碳粉；
[0016]S3.2压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S3.1中得到的HDI板主体上；
[0017]S3.3曝光：对所述步骤S3.2中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进
行曝光；
[0018]S3.4显影：用显影液冲洗所述步骤S3.3中得到的HDI板主体，露出需要电镀的孔位；
[0019]S3.5干燥：烘干所述步骤S3.4中得到的HDI板主体。
[0020]在本专利技术较佳的技术方案中，所述步骤S6包括：
[0021]S6.1前处理：清洗所述步骤S5得到的HDI板主体，去除有害污染物；
[0022]S6.2微蚀：将所述步骤S6.1中得到的HDI板主体放入酸性溶液，进行微蚀；
[0023]S6.3压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S6.2中得到的HDI板主体上；
[0024]S6.4曝光：对所述步骤S6.3中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进行曝光；
[0025]S6.5显影：用显影液冲洗所述步骤S6.4中得到的HDI板主体，露出需要蚀刻的图形。
[0026]在本专利技术较佳的技术方案中，所述步骤S2中，采用激光镭射钻孔或者等离子体蚀刻方法制孔。
[0027]在本专利技术较佳的技术方案中，所述获取所需生产的HDI板上各孔的参数包括：
[0028]获取HDI板盲孔、通孔设计的尺寸参数，在所述HDI板主体上钻出盲孔、通孔。
[0029]在本专利技术较佳的技术方案中，钻通孔过程中，以各子板的公共靶标为依据钻出通孔；
[0030]钻盲孔过程中，以次外层的靶标为依据钻出盲孔。
[0031]在本专利技术较佳的技术方案中，所述公共靶标包括第一对位盲孔，所述第一对位盲孔中心处开设有第一对位通孔，所述第一对位盲孔和所述第一对位通孔同轴设置；所述第一对位盲孔和所述第一对位通孔直径不等；
[0032]所述第一对位盲孔外缘和所述第一对位通孔外缘之间还设有若干个第二对位盲孔，每个所述第二对位盲孔中心处均设有第二对位通孔。
[0033]在本专利技术较佳的技术方案中，所述步骤S3和所述步骤S6中的绝缘干膜均采用耐电镀液腐蚀的紫外光敏高分子薄膜，所述步骤S3中的绝缘干膜厚度为35μm，所述步骤S6中的绝缘干膜厚度为50μm。
[0034]在本专利技术较佳的技术方案中，所述步骤S4中，电镀过程采用的镀液制作过程为：
[0035]称取400g的CuSO4·
5H2O均匀溶解于1300mL的去离子水中，然后在不断搅拌的条件下缓慢加入50mL的浓硫酸，待溶液温度降至室温后，开始顺序加入氯离子、抑制剂、加速剂、整平剂，搅拌均匀后，加适量的去离子水定容，待用。
[0036]本专利技术的目的之二是提供一种HDI板，所述HDI板采用如上所述的制造方法制成。该HDI板面铜厚度均匀，而且孔位对位精准，性能优异。
[0037]本专利技术的有益效果为：
[0038]本专利技术提供的一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，该方法通过两次干膜将HDI板的盲孔镀铜和表面镀铜分开。一次干膜过程中在压合后的产品上压设绝缘干膜，露出盲孔，对盲孔进行选择性电镀。电镀完盲孔后，进行二次干膜并露出蚀刻图形，以便蚀刻。压合铜箔后钻孔电镀盲孔，克服了同时镀孔铜、面铜的缺陷，将盲孔镀铜独立出来，降低盲孔镀铜对面铜的影响，提高了面铜厚度的均匀度。而且电镀盲孔之后才进行线路图形蚀刻，无需在
在绝缘干膜上制作菲林图，工艺简单，不存在图形剥离导致镀铜不准确的风险。
附图说明
[0039]图1是本专利技术提供的局部电镀填孔的HDI板制造方法的流程图；
[0040]图2是本专利技术提供的公共靶标的示意图。
[0041]1、第一对位通孔；2、第一对位盲孔；3、第二对位通孔；4、第二对位盲孔。
具体实施方式
[0042]下面将参照附图更详细地描述本专利技术的优选实施方式。虽然附图中显示了本专利技术的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本专利技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本专利技术更加透彻和完整，并且能够将本专利技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0043]在本专利技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术和所附权利要求书中所使用的单数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种局部电镀填孔的HDI板制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1.压合铜箔：将铜箔压合在基板上，获得HDI板主体；S2.钻孔：获取所需生产的HDI板上各孔的参数，在压合后的HDI板主体上钻孔；S3.一次干膜：在所述HDI板主体压设绝缘干膜，并在盲孔处镂空；S4.电镀：对需要电镀的孔位进行选择性电镀；S5.一次退膜：电镀完成后，将所述步骤S3中压设的绝缘干膜退掉；S6.二次干膜：在所述步骤S5中退膜后的HDI板主体上压设第二张绝缘干膜，获取需要刻蚀的图形数据，并使需要刻蚀的图形位置露出；S7.蚀刻：将所述步骤S6中露出的部位的铜蚀刻掉，露出基材；S8.二次退膜：将所述步骤S7中蚀刻完成的HDI板主体上的绝缘干膜去掉，得到所需的HDI板。2.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：所述步骤S3包括：S3.1前处理：去除所述HDI板主体上的胶渣、油污、碳粉；S3.2压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S3.1中得到的HDI板主体上；S3.3曝光：对所述步骤S3.2中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进行曝光；S3.4显影：用显影液冲洗所述步骤S3.3中得到的HDI板主体，露出需要电镀的孔位；S3.5干燥：烘干所述步骤S3.4中得到的HDI板主体。3.根据权利要求1的HDI板制造方法，其特征在于：所述步骤S6包括：S6.1前处理：清洗所述步骤S5得到的HDI板主体，去除有害污染物；S6.2微蚀：将所述步骤S6.1中得到的HDI板主体放入酸性溶液，进行微蚀；S6.3压膜：将绝缘干膜压设在所述步骤S6.2中得到的HDI板主体上；S6.4曝光：对所述步骤S6.3中得到的所述HDI板主体上不需要电镀上铜的位置进行曝光；S6.5显影：用显影液冲洗所述步骤S6.4中得到的HDI板主体，露出需要蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：向华，余小丰，程胜伟，党哓坤，
申请(专利权)人：惠州中京电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：