本发明专利技术的目的为把内置有发热量大的功率元件的电路装置的结构简单化。本发明专利技术的电路装置具备：表面被绝缘层（１２）覆盖的电路基板（１１）、在绝缘层（１２）的表面形成的导电图形（１３）、与导电图形（１３）电连接的电路元件、与由导电图形（１３）构成的焊盘（１３Ａ）连接的引线（２５）。在由引线（２５Ａ）的一部分构成的岛部（１８）的上面固着有功率元件（１５Ｂ）。因此，岛部（１８）作为散热器有助于散热。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及在电路基板的表面安 装有功率类半导体元件的。
技术介绍
参照图9说明现有的混合集成电路装置100的结构(例如参照日本特 开平5-102645 )。在矩形基板101的表面经由绝缘层102形成有导电图形 103。电路元件固着在导电图形103的希望的部位而形成规定的电路。在此， 作为电路元件是把半导体元件105A和芯片元件105B与导电图形103连接。 引线104与基板101周边部形成的由导电图形103构成的焊盘109连接， 作为外部端子起作用。密封树脂108具有把基板101表面形成的电路密封 的功能。半导体元件105A例如是有1安培以上大电流通过的功率类元件，发热 量非常大。因此，半导体元件105A被安装在安装于导电图形103的散热器 110的上部。散热器IIO例如由长x宽x厚度=10mmx 10mmx lmm左右 的铜等金属片构成。通过采用散热器IIO而能把半导体元件105A所产生的 热积极地向外部放出。但上述混合集成电路装置100由于采用散热器110而有整体结构变复 杂和成本变高的问题。当把有大电流通过的半导体元件105A配置在导电图形103上，为了向 半导体元件105A供给电流就需要在电路基板101上形成宽度宽的导电图形 103。具体说就是，由于导电图形103例如被形成为薄到50jum左右，所以 为了增大导电图形103的电流容量就需要把其宽度扩展到数mm左右。这 有招致装置整体大型化的问题。在制造方法上也由于需要形成散热器110和向电路基板101上配置， 所以有工时增加和制造成本变高的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而开发的，本专利技术的主要目的在于提供一种能 使内置有功率类半导体元件的结构简单化的。本专利技术的电路装置具备电路基板、在所述电路基板上面形成的导电 图形、与所述导电图形电连接的电路元件、与所述电路元件电连接并向外 部导出的引线，在由所述引线一部分构成的岛部的上面安装所述电路元件， 把所述岛部的下面固着在所述电路基板上。本专利技术电路装置的制造方法具备在形成为覆盖电路基板的绝缘层的 上面形成导电图形的工序、把电路元件与所述导电图形电连接的工序、把 引线固着在所述电路基板表面的工序，在设置于所述引线一部分的岛部固 着所述电路元件。另外，本专利技术电路装置的制造方法具备在电路基板的上面经由B阶 段状态的绝缘层而粘贴导电箔的工序、把所述导电箔构图而形成导电图形沾T & rh 21沐& 良4K 151甚由， 么^ T 知f^r^ 21战的所述岛部的下面粘贴在所述绝缘层表面的工序。 附图说明图1 (A)是本专利技术电路装置的立体图，图1 (B)是本专利技术电路装置 的立体图2 (A)是本专利技术电路装置的剖面图，图2 (B)是本专利技术电路装置 的剖面图3 (A)是本专利技术电路装置的立体图，图3 (B)是本专利技术电路装置 的立体图4 (A)是说明本专利技术电路装置制造方法的剖面图，图4 (B)是说 明本专利技术电路装置制造方法的剖面图；图4 (C)是说明本专利技术电路装置制 造方法的剖面图，图4 (D)是说明本专利技术电路装置制造方法的剖面图，图 4(E)是说明本专利技术电路装置制造方法的剖面图5 (A)是说明本专利技术电路装置制造方法的平面图，图5 (B)是说 明本专利技术电路装置制造方法的平面图，图5 (C)是说明本专利技术电路装置制 造方法的剖面图6 (A)是说明本专利技术电路装置制造方法的平面图，图6 (B)是说5明本专利技术电路装置制造方法的剖面图，图6 (C)是说明本专利技术电路装置制造方法的剖面图；图7 (A)是说明本专利技术电路装置制造方法的剖面图，图7 (B)是说 明本专利技术电路装置制造方法的平面图；图8 (A)是说明本专利技术电路装置制造方法的平面图，图8(B)是说 明本专利技术电路装置制造方法的剖面图；图9是说明现有混合集成电路装置的剖面图。具体实施方式 〈第一实施例〉本实施例中，参照图l到图3,作为电路装置的一例来说明混合集成电 路装置10的结构。参照图1说明本专利技术混合集成电路装置10的结构。图1 (A)是从斜 上方看混合集成电路装置IO的立体图。图1 (B)是省略了密封整体的密封 树脂14的混合集成电路装置10的立体图。参照图1 (A)和图1 (B)，在矩形电路基板11的表面形成有绝缘层 12。在绝缘层12表面形成的导电图形13的规定部位电连接有由LSI构成 的控制元件15A和芯片元件15C。电路基板11表面形成的导电图形13和 电路元件被密封树脂14所覆盖。引线25被从密封树脂14向外部导出。电路基板11是以(Al)或铜(Cu)等金属为主要材料的金属基板。电 路基板11的具体大小例如是长x宽x厚度=30mmx 15mm x 1.5mm左右。 作为电路基板11在采用由铝构成时，电路基板11的两主面被进行阳极化处 理。绝缘层12形成为把电路基板11的整个上面覆盖。绝缘层12由被高填 充有AL203等填料的环氧树脂等构成。这样能把内置的电路元件所产生的 热经由电路基板11积极地向外部放出。绝缘层12的具体厚度例如是50 ji m左右。也可以把电路基板11的背面由绝缘层12覆盖。这样，即使把电 路基板11的背面从密封树脂14向外部露出，也能使电路基板11的背面与 外部绝缘。导电图形13由铜等金属构成，并形成规定电路并形成在绝缘层12的 表面。在引线25导出的边上形成有由导电图形13构成的焊盘13A。且在控制元件15A的周围也形成有多个焊盘13A，焊盘13A与控制元件15A通 过金属细线17连接。在此，图示单层的导电图形13，但也可以把经由绝缘 层层积的多层导电图形13形成在电路基板11的上面。导电图形13是把设置在绝缘层12上面的厚度50nm 100nm左右的 薄导电膜构图而形成。因此，能把导电图形13的宽度形成为窄到50 p m 100 jum左右。且能使导电图形13彼此之间离开的距离也窄到50jum 100pm 左右。因此，即使控制元件15A是具有数百个电极的元件，也能在控制元 件15A的周围形成与电极数对应的焊盘13A。利用微细形成的导电图形13 而能在电路基板11的表面形成复杂的电路。作为与导电图形13电连接的电路元件可以全面地采用有源元件或无源 元件。具体地能把晶体管、LSI芯片、二极管、芯片阻抗、芯片电容、电感、 热敏电阻、天线、振荡器等作为电路元件采用。并且，树脂密封型的封装 件等也能作为电路元件固着在导电图形13上。参照图1 (B),在电路基板11的上面作为电路元件而配置有控制元件 15A、功率元件15B和芯片元件15C。控制电极15A是表面形成有规定电 路的LSI,向功率元件15B的控制电极供给电信号。功率元件15B例如是 有1安培以上电流通过主电极的元件，由控制元件15A控制其动作。具体 地能把MOSFET ( Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )、 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor )、 IC (Integrated Circuit )、双极型晶体管 等作为功率元件15B来采用。在此，功率元件15B被放置在由引线25A的 一部分构成的岛部18上面。该事项的详细情况在下面叙述。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路装置，其特征在于，具备：电路基板、在所述电路基板上面形成的导电图形、与所述导电图形电连接的电路元件、与所述电路元件电连接并向外部导出的引线， 在由所述引线的一部分构成的岛部的上面安装所述电路元件， 把所述岛部的下面固着在所述电路基板上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-31 252188/20051、一种电路装置，其特征在于，具备电路基板、在所述电路基板上面形成的导电图形、与所述导电图形电连接的电路元件、与所述电路元件电连接并向外部导出的引线，在由所述引线的一部分构成的岛部的上面安装所述电路元件，把所述岛部的下面固着在所述电路基板上。2、 如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述岛部的下面被固 着在覆盖所述电路基板上面的绝缘层上。3、 如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，把所述岛部的下面粘 贴在覆盖所述电路基板上面的B阶段状态的绝缘层上之后，通过把所述绝 缘层加热固化将其固着在所述电路基板上。4、 如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述岛部被固着在所 述导电图形上。5、 如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，安装在所述岛部上的 电路元件经由金属细线与所述导电图形连接。6、 如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述电路元件包括功 率元件和控制所述功率元件的控制元件，所述控制元件与所述导电图形连接， 所述功率元...
【专利技术属性】
技术研发人员：高草木贞道，坂本则明，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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