晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。装置的结构。装置的结构。

【技术实现步骤摘要】
晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置


[0001]本专利技术涉及晶圆级测试技术，尤其涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路技术中，半导体集成电路中的各种元器件通过半导体集成电路制造工艺形成在晶圆上。在晶圆制造完成之后，晶圆测试是非常重要的，测试设备通过与元器件的外接触电极接触，测试其电气特性，以判断晶圆上的元器件是否符合出厂标准。电气特性测试完成后，利用切割机分割各元器件，之后完成封装并出售，因此电气特性测试至关重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术在于提供一种晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置，其特征在于，包括：晶圆，置于晶圆卡盘上，其中晶圆上包括多个开关元器件，多个开关元器件均包括第一电极和第二电极，多个开关元器件的第一电极互相连接，并多个开关元器件的第一电极位于晶圆的第一面，晶圆卡盘通过晶圆的第一面支撑晶圆，多个开关元器件的第二电极均位于晶圆的第二面，晶圆的第二面与晶圆的第一面为晶圆的两相对面，并多个开关元器件均可通过一开关控制信号的控制使得第一电极与第二电极电连通；探针卡，探针卡的与晶圆的第二面面对的一侧上设置多个探针，其中一第一探针接触多个开关元器件中的一第一开关元器件的第二电极，一第二探针接接触多个开关元器件中的一第二开关元器件的第二电极；以及开关元件驱动电路，连接晶圆上的多个开关元器件，用于输出所述开关控制信号。
[0004]更进一步的，当测试第一开关元器件的电气特性时，所述开关控制信号控制使得至少一第二开关元器件处于导通状态，读取从第一探针和第二探针输出的信号，并根据从第一探针和第二探针输出的信号获得第一开关元器件的电气特性。
[0005]更进一步的，所述第一探针和所述第二探针均位于所述探针卡的与所述晶圆直接面对的区域范围内。
[0006]更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件相邻排布的开关元器件。
[0007]更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件在X轴或Y轴方向上相邻排布的开关元器件。
[0008]更进一步的，所述第二开关元器件为晶圆上与所述第一开关元器件成斜角相邻排布的开关元器件。
[0009]更进一步的，所述第二开关元器件与所述第一开关元器件之间间隔至少一个开关元器件。
[0010]更进一步的，导通的第二开关元器件的个数为多个，所述第二探针包括多个探针，其中多个第二探针与导通的多个第二开关元器件的第二电极一一对应接触。
附图说明
[0011]图1为典型的晶圆测试系统结构示意图。
[0012]图2为晶圆上MOSFET的电路原理示意图。
[0013]图3为本专利技术一实施例的晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置示意图。
[0014]图4为晶圆上开关元器件的分布示意图。
[0015]图5为晶圆上开关元器件的电路示意图。
具体实施方式
[0016]下面将结合附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]应当理解，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大，自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0018]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0019]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0020]请参阅图1，图1为典型的晶圆测试系统结构示意图。晶圆测试系统包括晶圆测试设备，如图1所示，晶圆测试设备通常包括探针卡110，探针卡110的一侧设置有多个探针，如第一探针121、第二探针122和第三探针123。晶圆测试系统还包括探测器，探测器将晶圆210
固定于晶圆卡盘220上，将探针与晶圆210上的元器件的电极接触而进行电气特性测试，在进行电气特性测试时对各元器件的电极施加电流或电压以测定其特性。
[0021]MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)等元器件为半导体集成电路中常用的器件，其通常在晶圆的第二面包括电极(常称为芯片表面电极)，并且在晶片的第一面也包括电极(常称为芯片背面电极)。如图1所示，对于MOSFET，晶圆的第二面包括源极(S)和栅极(G)，而漏极(D)常设置在晶圆的第一面，晶圆的第二面与晶圆的第一面为晶圆的两相对面。测试MOSFET的动态电气特性需测试位于晶圆的第二面的源极与位于晶圆的第一面的漏极之间的电特性，为了对在晶圆的两面均形成有电极的元器件进行电气特性的测试，在晶圆卡盘220上设置有导电性的支承面221，支承面221与晶圆的第一面接触而将晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置，其特征在于，包括：晶圆，置于晶圆卡盘上，其中晶圆上包括多个开关元器件，多个开关元器件均包括第一电极和第二电极，多个开关元器件的第一电极互相连接，并多个开关元器件的第一电极位于晶圆的第一面，晶圆卡盘通过晶圆的第一面支撑晶圆，多个开关元器件的第二电极均位于晶圆的第二面，晶圆的第二面与晶圆的第一面为晶圆的两相对面，并多个开关元器件均可通过一开关控制信号的控制使得第一电极与第二电极电连通；探针卡，探针卡的与晶圆的第二面面对的一侧上设置多个探针，其中一第一探针接触多个开关元器件中的一第一开关元器件的第二电极，一第二探针接接触多个开关元器件中的一第二开关元器件的第二电极；以及开关元件驱动电路，连接晶圆上的多个开关元器件，用于输出所述开关控制信号。2.根据权利要求1所述的晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置，其特征在于，当测试第一开关元器件的电气特性时，所述开关控制信号控制使得至少一第二开关元器件处于导通状态，读取从第一探针和第二探针输出的信号，并根据从第一探针和第二探针输出的信号获得第一开关元器件的电气特性...

【专利技术属性】
技术研发人员：林氦，邓志江，盛况，郭清，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴微电子研究中心，
类型：新型
国别省市：