发光二极管器件的测试方法及装置制造方法及图纸

本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。本申请能够提高对发光二极管器件进行测试的准确性。提高对发光二极管器件进行测试的准确性。提高对发光二极管器件进行测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管器件的测试方法及装置


[0001]本申请属于半导体光电
，尤其涉及一种发光二极管器件的测试方法及装置。

技术介绍

[0002]随着半导体光电技术的不断发展，各种发光二极管(Light Emitting Diode，LED)器件的应用也越来越广泛。为了确保发光二极管器件的可靠性，通常需要对发光二极管器件进行测试。
[0003]现有技术中，可以基于发光二极管器件的结构，预先设置该发光二极管器件能够发光的发光面积，然后在测试过程中，基于向该发光二极管器件提供的测试电压以及预设的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。
[0004]但由于不同发光二极管器件发光的稳定性可能会存在差异，而在预设发光面积的过程中并未考虑发光稳定性这一因素，因此通过上述测试方式所测量得到的性能参数准确性较低。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了发光二极管器件的测试方法及装置，可以解决测量得到的性能参数准确性低下的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管器件的测试方法，包括：
[0007]向发光二极管器件输入测试电压；
[0008]获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；
[0009]基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。
[0010]在第一方面的一种可能的实现方式中，所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：
[0011]获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；
[0012]基于所述发光图像确定所述发光面积。
[0013]在第一方面的一种可能的实现方式中，所述基于所述发光图像确定所述发光面积，包括：
[0014]对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；
[0015]基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。
[0016]在第一方面的一种可能的实现方式中，所述向发光二极管器件输入测试电压，包括：
[0017]分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；
[0018]所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：
[0019]分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；
[0020]所述基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数，包括：
[0021]基于至少一个所述测试电压以及至少一个所述发光面积，分别确定与各所述测试电压对应的性能参数。
[0022]在第一方面的一种可能的实现方式中，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：
[0023]对所述发光二极管器件进行预烧。
[0024]在第一方面的一种可能的实现方式中，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：
[0025]获取所述发光二极管器件的发光光谱；
[0026]基于所述发光光谱，确定所述发光二极管器件发光正常。
[0027]在第一方面的一种可能的实现方式中，所述性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。
[0028]第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管器件的测试装置，包括：
[0029]输入模块，用于向发光二极管器件输入测试电压；
[0030]第一获取模块，用于获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；
[0031]第一确定模块，用于基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。
[0032]在第二方面的一种可能的实现方式中，所述第一获取模块还用于：
[0033]获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；
[0034]基于所述发光图像确定所述发光面积。
[0035]在第二方面的一种可能的实现方式中，所述第一获取模块还用于：
[0036]对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；
[0037]基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。
[0038]在第二方面的一种可能的实现方式中，所述输入模块还用于分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；
[0039]所述第一获取模块还用于分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；
[0040]所述第一确定模块还用于基于至少一个所述测试电压以及至少一个所述发光面积，分别确定与各所述测试电压对应的性能参数。
[0041]在第二方面的一种可能的实现方式中，还包括：
[0042]预烧模块，用于对所述发光二极管器件进行预烧。
[0043]在第二方面的一种可能的实现方式中，还包括：
[0044]第二获取模块，用于获取所述发光二极管器件的发光光谱；
[0045]第二确定模块，用于基于所述发光光谱，确定所述发光二极管器件发光正常。
[0046]在第二方面的一种可能的实现方式中，所述性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。
[0047]第三方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括：一种计算设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面任一项所述的方法。
[0048]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，包括：计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述的方法。
[0049]第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面中任一项所述的方法。
[0050]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：在本申请实施例中，可以向发光二极管器件输入测试电压，并获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光面积，从而能够基于该测试电压以及该测试电压对应的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。由于发光面积是基于所提供的测试电压所获取的准确值，因此该发光面积的准确性不会受到发光二极管器件发光的稳定性影响，所以基于该测试电压以及对该发光面积所确定的性能参数的准确性较高。
附图说明
[0051]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0052]图1是本申请一实施例提供的一种发光二极管器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管器件的测试方法，其特征在于，包括：向发光二极管器件输入测试电压；获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；基于所述发光图像确定所述发光面积。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述发光图像确定所述发光面积，包括：对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向发光二极管器件输入测试电压，包括：分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；所述基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数，包括：基于至少一个所述测试电压以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳春美，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：