【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高分子材料、由其得到的发泡体以及使用它们的研磨 垫，例如可适合用于高精度且高效率地研磨半导体晶片等的研磨垫。
技术介绍
作为在用作形成集成电路的基材的半导体晶片的镜面加工(例如 化学机械研磨(CMP))中使用的研磨垫，通常大多使用将丝绒或仿麂皮 等的纤维与树脂的复合材料、或者将热塑性聚氨酯树脂浸透在非织造 布中使其湿式凝固而得到的压缩变形特性大、比较柔软的片材。近年来，伴随着半导体晶片的高集成化、多层布线化，对于更高 平坦化等品质改善，以及低成本化的要求日益增强。与此相伴，还要 求研磨垫可实现比以往更高的平坦化等高性能化或可长时间使用等。以往的比较柔软的非织造布型研磨垫与晶片的接触性良好，研磨 浆的保持性也良好，但是由于其柔软性，使被研磨面平坦化的性能不 足。并且，研磨浆或研磨屑会堵塞非织造布的孔隙，由此导致晶片表 面容易产生划伤。另外，研磨浆或研磨屑渗入到非织造布孔隙深处， 因此清洗困难，还有研磨垫的寿命短的问题。还已知有使用高分子发泡体的研磨垫，与非织造布型的研磨垫相 比刚性高，因此常用于晶片的研磨等要求平坦化的用途中。另外，使 用高分子发泡体...
【技术保护点】
高分子材料，该高分子材料用５０℃的水饱和溶胀后在５０℃下的拉伸弹性模量为１３０－８００ＭＰａ，５０℃的损耗角正切为０．２以下，与水的接触角为８０°以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-9-22 275768/2005;JP 2006-3-30 094698/20061.高分子材料，该高分子材料用50℃的水饱和溶胀后在50℃下的拉伸弹性模量为130-800MPa，50℃的损耗角正切为0.2以下，与水的接触角为80°以下。2. 权利要求1的高分子材料，该高分子材料的拉伸弹性模量的 保持率为55%以上，所述保持率是用5(TC的水饱和溶胀后在5(TC下 的拉伸弹性模量除以在2(TC、 65%RH条件下放置后在5(TC下的拉伸 弹性模量，再乘以100所得的值。3. 权利要求1或2的高分子材料，其23。C下的储存弹性模量E'23 与5(TC下的储存弹性模量E'5o之比EVE'5o为1.8以下。4. 权利要求l-3中任一项的高分子材料，其中，上述高分子材料 是通过使高分子二醇、有机二异氰酸酯和增链剂反应得到的聚氨酯。5. 权利要求4的高分子材料，其中，上述聚氨酯是热塑性聚氨 酯，来自异氰酸酯基的氮原子的含量为4.8%重量以上、低于6.0%重6. 权利要求4或5的高分子材料，其中，上述高分子二醇至少 含有一种数均分子量为1400-5000的成分。7. 权利要求4-6中任一项的高分子材料，其中，上述高分子二醇 含有聚酯型二醇和/或聚醚型二醇。8. 权利要求4-7中任一项的高分子材料，其中，上述高分子二醇 含有使用碳原子数6-12的二醇制备的聚酯型二醇。9. 权利要求4-8中任一项的高分子材料，该高分子材料是使 作为上述高分子二醇的选自聚(乙二醇)、聚(四亚甲基二醇)、聚(九亚甲基己二酸酯)、聚(2-甲基-l,8-八亚甲基己二酸酯)、聚(2-甲基-1,8-八亚甲基-共-九亚甲基己二酸酯)、聚(甲基戊垸己二酸酯)的至少一种， 作为上述有机二异氰酸酯的选自4,4，-二苯基甲烷二异氰酸酯、 2,...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈本知大，加藤晋哉，金田俊二，菊池博文，
申请(专利权)人：可乐丽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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