液晶装置、其制造方法及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及液晶装置、液晶装置的制造方法及电子设备。提供不使电极层的电阻增大地，能够抑制摩擦不良的发生的ＦＦＳ模式的液晶装置。在液晶装置（１００）的元件基板（１０）上，薄膜晶体管（３０）的上层侧以由有机平坦化膜构成的层间绝缘膜（６）所覆盖，在层间绝缘膜（６）的上层，共用电极（９ａ）作为整面的电极层所形成。在共用电极（９ａ）的上层形成电极间绝缘膜（８），在其上，形成具有缝隙状的间隙部（７ｂ）的像素电极（７ａ）。与整面地所形成的共用电极（９ａ）相比较，因为形成缝隙状的间隙部（７ｂ）的像素电极（７ａ）的膜厚度薄，所以能够合适地进行摩擦处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及液晶装置，尤其涉及合适地应用于在由所谓的边缘场开关(以下，称为FFS (Fringe Field Switching))模式的液晶装置所代表的 元件基板具备像素电极与共用电极的双方的液晶装置的技术。并且，涉及 该液晶装置的制造方法及应用有液晶装置的电子设备。
技术介绍
各种液晶装置之中的FFS模式的液晶装置，在元件M及对向M之 中的元件^L将像素电极、电极间绝缘膜以及形成有间隙部的共用电极进 行叠层，通过施加于像素电极与共用电极的电场对液晶进行驱动(参照专 利文献1 )。专利文献1特开2001—235763号〃>才艮在如此的FFS模式的液晶装置中，作为像素开关元件，利用采用了非 晶硅膜的底栅结构的薄膜晶体管，若直接重叠于该薄膜晶体管的漏电极地 形成像素电极，则因为像素电极形成于与数据线同一层间，所以必须偵L像 素电极从数据线离开，存在像素电极的形成区域窄的问题点。于是，本申请的申请人，提出下述技术如示于图7(a).地，覆盖作 为像素开关元件的薄膜晶体管30地形成层间绝缘膜6，并通过该层间绝缘 膜6的接触孔6a及漏电极5b，使像素电极7a电连接于薄膜晶体管30的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶装置，其具备多个像素、对应于各前述像素设置有开关元件，其特征在于，具备：形成有前述开关元件的元件基板，形成于前述开关元件上的层间绝缘膜，形成于前述层间绝缘膜上的第１电极层，和形成于前述元件基板、通过电极间绝缘膜与前述第１电极层俯视相重叠的第２电极层；各前述像素，包括：前述第１电极层与前述第２电极层俯视相重叠的第１区域，和仅形成有前述第１电极层及前述第２电极层之中的前述第１电极层的第２区域；前述第２电极层的膜厚度比前述第１电极层的膜厚度薄。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-28 083647/2007;JP 2007-8-7 205035/20071.一种液晶装置，其具备多个像素、对应于各前述像素设置有开关元件，其特征在于，具备形成有前述开关元件的元件基板，形成于前述开关元件上的层间绝缘膜，形成于前述层间绝缘膜上的第1电极层，和形成于前述元件基板、通过电极间绝缘膜与前述第1电极层俯视相重叠的第2电极层；各前述像素，包括前述第1电极层与前述第2电极层俯视相重叠的第1区域，和仅形成有前述第1电极层及前述第2电极层之中的前述第1电极层的第2区域；前述第2电极层的膜厚度比前述第1电极层的膜厚度薄。2. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于 前述元件基板被实施取向处理。3. 按照权利要求2所述的液晶装置，其特征在于在前述第2电极层上形成有取向膜，在前述第1区域与前述第2区域 的边界处，在前述取向膜形成有台阶差。4. 按照权利要求l所述的液晶装置，其特征在于前述第1电极层及前述第2电极层的任何一方为连接于前述开关元件 的像素电极，另一方为跨前述多个像素所形成的共用电极。5. 按照权利要求4所述的液晶装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田伸，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]