【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及x荧光光谱仪中使用的半导体核辐射探测器，尤其是一种噪声远小于现有技术的内置场效应管的半导体核辐射探测器。技术背景本专利技术主要征对半导体核辐射探测器使用的光电二极管和第一级前置放大器的场效应管。如图i所示,现有的核辐射探测器应用于感应低能x射线的探测器主要采用高纯硅生产的光电二极管，由于单个光子(8)的能量非常弱， 因此对第一级前置放大器的要求很高，要求场效应管的栅极和光电二极管的 连线要尽可能短。现有的核辐射探测器使用的光电二极管(6)和场效应管(1) 为两个部件，固定在同一基板(11)上，彼此连接采用金丝(9)点焊，场效 应管(1)再通过接线柱(10)与电源连接，由于金丝(9)有大约10mm长，其 分布电容大约在O. 2pf左右。由于现有的技术采用光电二极管和场效应管都是独立器件，其引线不可能 很短，大约都在8 10mm左右。由于该引线而产生的分布电容大约在0.2pf左 右，栅极分布电容会降低场效应管的跨导，并引入噪声。并且该段引线会像 天线一样接收空间电磁波，引入电磁干扰。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测 器，该探测器采用了新型的结构，将场效应管制做在光电二级管的背面，这 样会大大减小光电二极管和场效应管栅极的连接距离，此时栅极的分布电容大约在0.0广0.02pf，因此因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测 器。本专利技术所采用的技术方案为 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于在所述光电二极管的底部设有一半导体...
【技术保护点】
一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于：在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。
【技术特征摘要】
1. 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员：应刚，
申请(专利权)人：江苏天瑞信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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