【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。
技术介绍
[0002]高压功率器件中的LDMOS器件(Lateral Double
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Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)由于电流在器件表面横向流动的特点，使其与CMOS器件工艺兼容性好。同时相比于传统功率器件来说，LDMOS器件因其击穿电压高、导通电阻低的良好特性而广泛应用。
[0003]在LDMOS器件中，关态击穿电压(Off
‑
BV)和开态击穿电压(On
‑
BV)是重要的指标。所述关态击穿电压和开态击穿电压与器件漂移区掺杂浓度具有很大关系，然而，由于器件开态击穿和关态击穿状态下，碰撞电离最强点发生的位置不同，现有的手段难以同时满足提高关态击穿电压和开态击穿电压的需求。
[0004]现有的LDMOS器件技术形成的半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；位于所述衬底内的深阱区，所述深阱区包括沿第一方向上排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的第一扩散区、位于所述第二掺杂区和第三掺杂区之间的第二扩散区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，所述第一扩散区两侧分别于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区相接触，所述第二扩散区两侧分别与所述第二掺杂区和第三掺杂区相接触，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，沿所述第一方向上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间具有第一距离，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间具有第二距离；位于所述深阱区表面的场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30％，所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20％至80％；位于所述第一掺杂区内的体区，所述体区具有第一导电类型；位于部分所述场氧层表面的栅极，所述栅极还延伸至部分所述体区表面；位于所述衬底内的源极和漏极，所述源极和所述漏极具有第二导电类型，所述源极位于所述栅极一侧的所述体区内，所述漏极位于所述场氧层一侧的所述第三掺杂区内；位于所述体区内的沟道引出区，所述沟道引出区具有第一导电类型，且所述沟道引出区相对于所述源极远离所述场氧层。2.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一导电类型；形成所述衬底内的深阱区，所述深阱区包括沿第一方向上排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间的第一扩散区、位于所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间的第二扩散区，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区之间相互分立，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间，所述第一扩散区两侧分别于所述第一掺杂区和第二掺杂区相接触，所述第二扩散区两侧分别与所述第二掺杂区和第三掺杂区相接触，所述深阱区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，沿所述第一方向上，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间具有第一距离，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间具有第二距离；在所述深阱区表面形成场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距离与所述第三尺寸的比例范围为小于或等于30％，所述第二距离与所述第三尺寸的比例范围为20％至80％；形成所述场氧层后，在所述第一掺杂区内形成体区，所述体区具有第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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