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一种LDMOS器件及其形成方法，其中方法包括：在所述深阱区表面形成场氧层，沿所述第一方向上，所述场氧层包括场氧区和位于所述场氧区一端的鸟嘴区，且所述鸟嘴区位于所述第一扩散区表面，部分所述场氧区位于所述第二扩散区表面，所述场氧层在沿所述第一方...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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