DMOS器件及其形成方法技术

本申请公开了一种DMOS器件及其形成方法，该器件包括：衬底，其上形成有栅绝缘介质层；栅极，其形成于栅绝缘介质层上；栅极两侧的衬底中形成有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区中形成有重掺杂区，轻掺杂漏区之间的衬底中形成有口袋注入区，口袋注入区与轻掺杂漏区接触，沿衬底的厚度的方向，口袋注入区的横向宽度从上至下越来越宽。本申请通过在DMOS器件的轻掺杂漏区之间的衬底中形成口袋注入区，该口袋注入区沿衬底的厚度的方向，其横向宽度从上至下越来越宽，从而在衬底表面形成一个更加缓变的结，从而能够减弱器件内的碰撞电离强度，提高了该器件的击穿电压，同时降低了器件的关态漏电流，提高了器件的电学性能。了器件的电学性能。了器件的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
DMOS器件及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种DMOS器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]双扩散金属氧化物半导体场效应管(double
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diffused metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor，DMOSFET，本申请中简称为“DMOS”)由于具有耐高压、大电流驱动能力和极低功耗等特点，被广泛应用于电源管理电路中。
[0003]DMOS主要有两种类型：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(vertical double
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diffused metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor，VDMOSFET，可简称为“VDMOS”)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(lateral double
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diffused me本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有栅绝缘介质层；栅极，所述栅极形成于所述栅绝缘介质层上；所述栅极两侧的衬底中形成有轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区中形成有重掺杂区，所述轻掺杂漏区之间的衬底中形成有口袋注入区，所述口袋注入区与所述轻掺杂漏区接触，沿所述衬底的厚度的方向，所述口袋注入区的横向宽度从上至下越来越宽。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底从下至上依次包括背面衬底、埋层氧化层和顶层硅。所述轻掺杂漏区、所述重掺杂区和所述口袋注入区形成于所述顶层硅中。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述口袋注入区包覆所述轻掺杂漏区在所述顶层硅的上表面和所述埋层氧化层的上表面之间的表面。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述口袋注入区通过口袋离子注入或晕环离子注入形成。5.根据权利要求1至4任一所述的器件，其特征在于，所述DMOS器件为开关管DMOS器件。6.一种DMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，韩天宇，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：