【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制作方法
[0001]本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。
[0003]光提取效率是评判发光二极管质量的一项重要指标。现有技术中通常采用正划工艺，并搭配高温侧壁腐蚀工艺，在发光二极管的外延层侧壁腐蚀出一定角度，从而将原本侧面出光反射到正面，提高出光效率。然而侧壁腐蚀形貌和发光区之间会被第一电极阻隔，无法将侧面的光反射至正面，导致提亮工艺无效。
[0004]因此，如何提升发光二极管的光提取效率，一直是亟需解决的问题。
[0005]说明内容为了解决上述的技术问题，具体技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供了一种发光二极管，包括衬底和半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及夹置于第一半导体层和第二半导体层之间的有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括衬底和半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及夹置于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，以及分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接的第一电极和第二电极，至少第一电极包括焊盘部和延伸部，其特征在于，所述延伸部下方具有间隔设置的支撑结构，相邻的所述支撑结构之间设置第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出衬底。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽中面向有源层的内壁与衬底之间成夹角A，以形成反射面。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述半导体叠层的侧壁为倾斜侧壁，且与衬底之间成夹角A，以形成反射面。4.根据权利要求2或3所述的一种发光二极管，其特征在于，所述夹角A大于0度，小于90度。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述延伸部沿着支撑结构的顶面、侧壁、衬底的上表面延伸设置。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述延伸部设置于支撑结构上，且悬空设置于衬底上方。7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，沿所述第一电极延伸部方向的支撑结构的侧面为倾斜侧面，且与衬底之间成夹角B。8.根据权利要求7所述的一种发光二极管，其特征在于，所述夹角B大于90度，小于180度。9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述支撑结构的长度至少为3μm。10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述支撑结构的长度由焊盘部向延伸部的末端逐渐减小或者逐渐增大或者长度相同。11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽的...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩权威，隗彪，沈媛媛，戴志祥，孙旭，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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