发光器件和显示基板制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件和显示基板。所述发光器件，包括：第一发光结构、第一电极、第一导电结构与第一反射层；第一电极通过第一导电结构与第一发光结构电连接，第一反射层位于第一电极与第一发光结构之间，第一电极在第一发光结构上的投影位于第一反射层在第一发光结构上的投影内。根据本发明专利技术的实施例，可以提高发光器件的发光效率。发光器件的发光效率。发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和显示基板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件和显示基板。

技术介绍

[0002]相关技术中，发光二极管(LED)的发光效率比较低。因此，如何提高LED的发光效率是需要解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光器件和显示基板，以解决相关技术中的不足。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种发光器件，包括：第一发光结构、第一电极、第一导电结构与第一反射层；
[0005]所述第一电极通过所述第一导电结构与所述第一发光结构电连接，所述第一反射层位于所述第一电极与所述第一发光结构之间，所述第一电极在所述第一发光结构上的投影位于所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影内。
[0006]在一个实施例中，所述第一反射层的材料为绝缘材料；所述第一反射层为布拉格反射镜；
[0007]所述第一反射层位于所述第一导电结构中，所述第一导电结构与所述第一发光结构接触。
[0008]在一个实施例中，所述第一导电结构包括第一导电层与第二导电层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一发光结构、第一电极、第一导电结构与第一反射层；所述第一电极通过所述第一导电结构与所述第一发光结构电连接，所述第一反射层位于所述第一电极与所述第一发光结构之间，所述第一电极在所述第一发光结构上的投影位于所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影内。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一反射层的材料为绝缘材料；所述第一反射层为布拉格反射镜；所述第一反射层位于所述第一导电结构中，所述第一导电结构与所述第一发光结构接触。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电结构包括第一导电层与第二导电层，所述第一导电层位于所述第一发光结构上，并与所述第一发光结构电连接，所述第一反射层位于所述第一导电层远离所述第一发光结构的一侧，所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影位于所述第一导电层在所述第一发光结构上的投影内，所述第二导电层位于所述第一反射层远离所述第一导电层的一侧，所述第一反射层在所述第一发光结构上的投影位于所述第二导电层在所述第一发光结构上的投影内；所述第二导电层与所述第一导电层搭接。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光结构包括第一半导体层、第一发光层与第二半导体层，所述第一发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一电极与所述第二半导体层电连接。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第二半导体层远离所述第一发光层的表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域相邻；所述第一导电层位于所述第二半导体层远离所述第一发光层的一侧，所述第一导电层与所述第二半导体层的接触面位于所述第一区域；所述第二导电层覆盖所述第一反射层、所述第一导电层以及所述第二半导体层，所述第二导电层与所述第二半导体层的接触面位于所述第二区域；所述第一反射层在所述第二半导体层上的投影位于所述第一区域。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电层与所述第二半导体层的接触面的面积与所述第二导电层与所述第二半导体层的接触面的面积的和小于或等于所述第二半导体层远离所述第一发光层的表面的面积。7.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电层位于所述第二半导体层远离所述第一发光层的一侧，且覆盖所述第二半导体层的部分或全部；所述第二导电层覆盖所述第一反射层与所述第一导电层，所述第二导电层在所述第二半导体层上的投影位于所述第一导电层在所述第二半导体层上的投影内。8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其特征在于，还包括第二发光结构、第二电极、第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，张方振，牛菁，牛亚男，周婷婷，彭锦涛，秦斌，王玮，陈婉芝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：