【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板
[0001]本技术涉及半导体
,特别涉及一种发光二极管芯片及其应用的背板、显示面板。
技术介绍
[0002]LED(Light Emitting Diode)芯片,也称为LED发光芯片,是LED灯的核心组件,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。LED芯片中位于衬底之上的发光结构主要由两部分组成,一部分是P型半导体,空穴为多数载流子,另一部分是N型半导体,电子为多数载流子,两种半导体连接起来时,形成P
‑
N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候,电子就会被推向P区,在P
‑
N结合区(如量子阱区)电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED芯片发光的原理,其中,发出光的颜色依赖于光波长,且由形成P
‑
N结的材料决定的。LED在生产过程中不要添加“汞”,也不需要充气,不需要玻璃外壳,抗冲击性好,抗震性好,不易破碎,便于运输,非常环保,被称为“绿色能源”。
[0003]最初LED用作仪 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:衬底;反射层,位于所述衬底上;外延层,位于所述反射层上,所述外延层包括第一半导体层,发光层和第二半导体层;电流扩展层,位于所述第二半导体层上;凹槽,位于所述衬底上,暴露出所述第一半导体层;透明导电层,位于所述第二半导体层上;绝缘层,覆盖所述透明导电层和凹槽暴露出的第一半导体层,所述绝缘层还覆盖凹槽的侧壁;光阻层,位于所述绝缘层上,所述光阻层在所述绝缘层上形成两个开口,其中一个开口位于所述凹槽内,且暴露出所述第一半导体层,另外一个开口位于所述透明导电层上,且暴露出所述透明导电层;第一电极,位于所述凹槽内,所述第一电极与所述第一半导体层接触;第二电极,位于所述开口内,所述第二电极与所述电流扩展层接触;其中,所述反射层包括第一材料层和第二材料层,所述第一材料层位于所述第二材料层上,所述第二材料层的折射率大于所述第一材料层的折射率;其中,所述第一电极和所述第二电极位于所述衬底的同侧。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第一半导体层位于所述衬底上,所述发光层位于所述第一半导体层上,所述第二半导体层位于所述发光层上。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第一半导体层包括N型半导体层,所述第二半导体层包括P型半导体层。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第一材料层的厚度等于所述第二材料层的厚度。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,还包括绝缘层,所述绝缘层位于所述凹槽,所述第二半导体层上。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述发光层包括周期交替生长的阱层和垒层。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述第一电极的高度大于所述第二电极的高度。8.根据权利要求6所述的发光二极管芯片,其特征在于,所述阱层和所述垒层的总层数为40
‑
50层。9.一种发光二极管背板,其特征在于,包括:基板;多个发光二级芯片,设置在所述基板上,其中所述发光二极管芯片包括:衬底;反射层,位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李小丁,
申请(专利权)人:深圳市辰中科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。