【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用于太阳光发电的光电变换装置，尤其涉及采用结 晶半导体粒子的光电变换装置中的电极构造以及聚光构造。
技术介绍
一般的结晶板系列的光电变换装置是在p型硅基板的一主面侧形成n 型半导体区域来形成pn结部，进而在其上由透光性导体层在整个面形成透明电极，在该基板的一主面侧的透明电极上和基板的背面侧分别形成电 极的装置。作为透明电极上的电极，通常设置有按照不极力阻碍光对pn 结部的入射的方式以并列行状形成的集电用的叉指电极和将各叉指电极 电连接，使来自各叉指电极的电流集合的金属制的汇流(busbar)电极， 由此实现集电效率的提高。作为叉指电极通常采用将作为导电物质含有银 (Ag)的热硬化型导电性浆料在透明电极上以并列行状进行丝网印刷而形 成的元件。另一方面，在pn结部的形成时采用结晶半导体粒子的光电变换装置 中也同样，为了形成叉指电极，将热硬化型导电性浆料以并列行状在结晶 半导体粒子上或者结晶半导体粒子间或者结晶半导体粒子侧面进行丝网 印刷而形成。以往，在具备上述叉指电极和汇流电极的结晶板系列的光电变换装置 中，由于在受光面侧存在这些电极，所以因该受...
【技术保护点】
一种光电变换装置，在导电性基板的表面作为光电变换元件起作用的多个半导体要素互相隔开间隔而配置，并且在上述多个半导体要素之上以及它们之间的上述导电性基板上形成有透光性导体层，进而在该透光性导体层的表面形成有集电极，上述集电极由形成有能 使外光照射到上述各半导体要素的多个贯通孔的导电板构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-11-10 325878/2005;JP 2006-8-30 233302/20061、一种光电变换装置，在导电性基板的表面作为光电变换元件起作用的多个半导体要素互相隔开间隔而配置，并且在上述多个半导体要素之上以及它们之间的上述导电性基板上形成有透光性导体层，进而在该透光性导体层的表面形成有集电极，上述集电极由形成有能使外光照射到上述各半导体要素的多个贯通孔的导电板构成。2、 根据权利要求l所述的光电变换装置，其特征在于， 上述导电板覆盖对上述半导体要素间的光电变换处于非活性的光非活性部。3、 根据权利要求1或者2所述的光电变换装置，其特征在于， 上述半导体要素是在表层形成有第2导电型的半导体部的第1导电型的结晶半导体粒子，该结晶半导体粒子的多个互相隔开间隔而接合在导电性基板上，并且 在该结晶半导体粒子间的导电性基板上形成有绝缘层，上述透光性导体层 形成在绝缘层上以及上述结晶半导体粒子上，在上述透光性导体层以及上 述集电极上形成有使光聚光到上述结晶半导体粒子的每一个的透光性聚 光层。4、 根据权利要求3所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层通过光折射作用使光聚光到上述结晶半导体粒子的每一个。5、 根据权利要求3或4所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层在上述结晶半导体粒子的每一个的上方以凸状的曲面形状形成。6、 根据权利要求1 5中任一项所述的光电变换装置，其特征在于， 上述导电性基板由铝构成，上述半导体要素由硅构成。7、 根据权利要求1 6中任一项所述的光电变换装置，其特征在于， 上述集电极包括从金、白金、银、铜、铝、锡、铁、镍、铬以及锌中选择的至少一种。8、 根据权利要求7所述的光电变换装置，其特征在于，上述集电极由厚度为5pm以上的铜箔构成。9、 根据权利要求3 8中任一项所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层是非球面形状，而且纵截面中的轮廓形状是直径比上述结晶半导体粒子大的大致半圆状且横方向的宽度比高度小的大致半 圆状。10、 根据权利要求9所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层的顶部是与上述结晶半导体粒子的曲率相同的球面状。11、 根据权利要求10所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层，纵截面中的轮廓形状的除顶部以外的两侧部由直径比上述结晶半导体粒子的直径大的圆弧构成。12、 根据权利要求ll所述的光电变换装置，其特征在于， 上述圆弧的直径是上述结晶半导体粒子的直径的2 2.5倍。13、 根据权利要求3 12中任一项所述的光电变换装置，其特征在于， 上述透光性聚光层由从乙烯乙酸乙烯酯树脂、氟树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚芳酯树脂、聚苯醚树脂、硅 酮树脂、聚苯硫醚树脂以及聚烯烃树脂中选择的至少一种构成。14、 根据权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈田健一，京田豪，林孝一，富田贤时，有宗久雄，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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