存储器芯片及其制造方法、指定存储单元的定位方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器芯片及其制造方法、指定存储单元的定位方法，其存储块中增加了虚拟位线标记和虚拟字线标记，相邻两虚拟位线标记之间间隔等数量的位线，相邻两虚拟字线标记之间间隔等数量的字线，由此，可以利用虚拟位线标记的位置及所间隔的位线数量来对存储块的位线进行根数标记，利用虚拟字线标记的位置及所间隔的字线数量来对存储块的字线进行根数标记。且在不影响位线连线和字线连线的情况下，可以在芯片制造和测试过程中，通过增设的虚拟位线标记的位置快速定位指定位线的位置，以及通过增设的虚拟字线标记的位置快速定位指定字线的位置，继而快速定位到指定单元以用于后续进行分析。以用于后续进行分析。以用于后续进行分析。

【技术实现步骤摘要】
存储器芯片及其制造方法、指定存储单元的定位方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种存储器芯片及其制造方法、指定存储单元的定位方法。

技术介绍

[0002]现有的存储器(例如三维相变存储器等)芯片的存储阵列主要是由大量的呈阵列排布的存储块(或称为存储扇区)组成，每个存储块包括若干条字线、若干条位线以及位于各条字线与各条位线的交叉点处的存储单元。
[0003]现有的存储器芯片的设计存在以下缺陷：在存储器芯片的制作过程和测试过程中，很难或者无法从存储器芯片的存储单元中快速、准确地找到指定的存储单元，以对其进行问题分析，给芯片制作中的问题分析和良率提升带来了巨大的挑战。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种存储器芯片及其制造方法、指定存储单元的定位方法，以解决在存储器芯片的制作过程和测试过程中，很难或者无法从存储器芯片的存储单元中快速、准确地找到指定的存储单元，以对其进行问题分析的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储器芯片，包括呈阵列排布的若干存储块，每个所述存储块包括自下而上依次层叠设置的第一位线层、第一存储单元层以及第一字线层，所述第一位线层具有多条平行且沿列方向延伸的第一位线，所述第一字线层具有多条平行且沿行方向延伸的第一字线，所述第一存储单元层包括多个第一存储单元，各个第一存储单元分别位于相应的所述第一字线与相应的所述第一位线的交叉点处；其中，所述存储块还具有多个同列且等间隔分布的第一虚拟字线标记和多个同行且等间隔分布的第一虚拟位线标记，各个所述第一虚拟字线标记对准相应的所述第一字线且任意相邻的两个所述第一虚拟字线标记之间间隔的第一字线的数量相同，各个所述第一虚拟位线标记对准相应的所述第一位线，且任意相邻的两个所述第一虚拟位线标记之间间隔的第一位线的数量相同。
[0006]可选地，所述存储块具有与所述第一字线对应设置并电性连接所述第一字线的第一字线连接部，以及，与所述第一位线对应设置并电性连接所述第一位线的第一位线连接部；所述存储器芯片设有控制所述存储块的字线控制晶体管区和第一位线控制晶体管区，所述存储块的所述第一虚拟字线标记与所述第一字线连接部均设置在所述第一字线控制晶体管区，所述存储块的所述第一虚拟位线标记与所述第一位线连接部均设置在所述第一位线控制晶体管区。
[0007]可选地，所述第一虚拟位线标记与所述第一位线连接部的结构相同，所述第一字线虚拟标记与所述第一字线连接部的结构相同。
[0008]可选地，所述存储块还包括依次层叠在所述第一字线层上的第二存储单元层和第二位线层，所述第二位线层具有多条平行且沿所述列方向延伸的第二位线，所述第二存储
单元层包括位于所述第一字线与所述第二位线的交叉点处的第二存储单元；其中，所述存储块还具有多个同行且等间隔分布的第二虚拟位线标记，各个所述第二虚拟位线标记对准相应的所述第二位线，且任意相邻的两个第二虚拟位线标记之间间隔的第二位线的数量相同；
[0009]和/或，所述存储块还包括位于所述第一位线层下方的第三存储单元层以及位于所述第三存储单元层的下方的第二字线层，所述第二字线层具有多条平行且沿所述行方向延伸的第二字线，所述第三存储单元层包括位于所述第二字线与所述第一位线的交叉点处的第三存储单元；其中，所述存储块还具有多个同列且等间隔分布的第二虚拟字线标记，各个所述第二虚拟字线标记对准相应的所述第二字线，且任意相邻的两个第二虚拟字线标记之间间隔的第二字线的数量相同。
[0010]可选地，所述存储器芯片为三维相变存储器芯片，各个所述第一存储单元和各个所述第二存储单元均为具有相变材料层的相变存储单元。
[0011]可选地，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，所述存储块还具有与所述第二位线对应设置并电性连接所述第二位线的第二位线连接部，所述存储器芯片还设有控制所述存储块的第二位线控制晶体管区，所述存储块的第二虚拟位线标记和所述第二位线连接部均设置在所述第二位线控制晶体管区中；
[0012]当所述存储块具有所述第二字线层和所述第三存储单元层时，所述存储块还具有与所述第二字线对应设置并电性连接所述第二字线的第二字线连接部，所述存储器芯片还设有控制所述存储块的第二字线控制晶体管区，所述存储块的第二虚拟字线标记和所述第二字线连接部均设置在所述第二字线控制晶体管区中。
[0013]可选地，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，所述存储块的第一位线和第二位线在层叠方向上的投影有错位；当所述存储块具有所述第二字线层和所述第三存储单元层时，所述存储块的第一字线和第二字线在层叠方向上的投影有错位。
[0014]可选地，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，相邻第一位线之间、相邻第一存储单元之间、相邻第一字线之间、相邻第二存储单元之间、相邻第二位线之间、所述第一位线和所述第一字线之间、所述第一字线与所述第二位线之间以及所述第一位线和所述第二位线之间均填充有绝缘介质；当所述存储块具有所述第二字线层和所述第三存储单元层时，相邻第一位线之间、相邻第一存储单元之间、相邻第一字线之间、相邻第二存储单元之间、相邻第二字线之间、所述第一位线和所述第一字线之间、所述第一位线与所述第二字线之间以及所述第一字线和所述第二字线之间均填充有绝缘介质。
[0015]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种本专利技术所述的存储器芯片的制造方法，其包括以下步骤：
[0016]提供一衬底，所述衬底中形成有第一位线连接部以及同行且等间隔分布的第一虚拟位线标记；
[0017]在所述衬底上形成第一位线层，所述第一位线层中形成有多条平行且沿列方向延伸的第一位线，各条第一位线与相应的所述第一位线连接部电性接触，且相应的第一位线与所述第一虚拟位线标记对准，任意相邻的两个所述第一虚拟位线标记之间间隔的所述第一位线的数量相同；
[0018]在所述第一位线层上形成具有若干呈阵列排布的第一存储单元的第一存储单元层，同一列上的第一存储单元均位于同一条所述第一位线上且均与所述第一位线电性接触；
[0019]在所述衬底上形成第一字线连接部和同列且等间隔分布的第一虚拟字线标记，且所述第一存储单元层暴露出所述第一字线连接部和所述第一虚拟字线标记的顶面，所述第一字线连接部与所述衬底电性连接；
[0020]在所述第一存储单元层、所述第一字线连接部和所述第一虚拟字线标记上形成第一字线层，所述第一字线层中形成有多条平行且沿行方向延伸的字线，各个所述第一存储单元分别位于相应的所述第一字线与相应的所述第一位线的交叉点处，且同一行上的所述第一存储单元均与同一条所述第一字线电性接触，且各条所述第一字线与相应的第一字线连接部电性接触，且相应的第一字线与相应的第一虚拟字线标记对准，且任意相邻的两个所述第一虚拟字线标记之间间隔的字线的数量相同。
[0021]可选地，所述制造方法，在形成所述第一字线层之后，还包括：
[0022]在所述第一字线层上形成具有若干呈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器芯片，包括呈阵列排布的若干存储块，每个所述存储块包括自下而上依次层叠设置的第一位线层、第一存储单元层以及第一字线层，所述第一位线层具有多条平行且沿列方向延伸的第一位线，所述第一字线层具有多条平行且沿行方向延伸的第一字线，所述第一存储单元层包括多个第一存储单元，各个第一存储单元分别位于相应的所述第一字线与相应的所述第一位线的交叉点处；其特征在于，所述存储块还具有多个同列且等间隔分布的第一虚拟字线标记和多个同行且等间隔分布的第一虚拟位线标记，各个所述第一虚拟字线标记对准相应的所述第一字线且任意相邻的两个所述第一虚拟字线标记之间间隔的第一字线的数量相同，各个所述第一虚拟位线标记对准相应的所述第一位线，且任意相邻的两个所述第一虚拟位线标记之间间隔的第一位线的数量相同。2.如权利要求1所述的存储器芯片，其特征在于，所述存储块具有与所述第一字线对应设置并电性连接所述第一字线的第一字线连接部，以及，与所述第一位线对应设置并电性连接所述第一位线的第一位线连接部；所述存储器芯片设有控制所述存储块的字线控制晶体管区和第一位线控制晶体管区，所述存储块的所述第一虚拟字线标记与所述第一字线连接部均设置在所述第一字线控制晶体管区，所述存储块的所述第一虚拟位线标记与所述第一位线连接部均设置在所述第一位线控制晶体管区。3.如权利要求2所述的存储器芯片，其特征在于，所述第一虚拟位线标记与所述第一位线连接部的结构相同，所述第一字线虚拟标记与所述第一字线连接部的结构相同。4.如权利要求1
‑
3中任一项所述的存储器芯片，其特征在于，所述存储块还包括依次层叠在所述第一字线层上的第二存储单元层和第二位线层，所述第二位线层具有多条平行且沿所述列方向延伸的第二位线，所述第二存储单元层包括位于所述第一字线与所述第二位线的交叉点处的第二存储单元；其中，所述存储块还具有多个同行且等间隔分布的第二虚拟位线标记，各个所述第二虚拟位线标记对准相应的所述第二位线，且任意相邻的两个第二虚拟位线标记之间间隔的第二位线的数量相同；和/或，所述存储块还包括位于所述第一位线层下方的第三存储单元层以及位于所述第三存储单元层的下方的第二字线层，所述第二字线层具有多条平行且沿所述行方向延伸的第二字线，所述第三存储单元层包括位于所述第二字线与所述第一位线的交叉点处的第三存储单元；其中，所述存储块还具有多个同列且等间隔分布的第二虚拟字线标记，各个所述第二虚拟字线标记对准相应的所述第二字线，且任意相邻的两个第二虚拟字线标记之间间隔的第二字线的数量相同。5.如权利要求4所述的存储器芯片，其特征在于，所述存储器芯片为三维相变存储器芯片，各个所述第一存储单元和各个所述第二存储单元均为具有相变材料层的相变存储单元。6.如权利要求4所述的存储器芯片，其特征在于，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，所述存储块还具有与所述第二位线对应设置并电性连接所述第二位线的第二位线连接部，所述存储器芯片还设有控制所述存储块的第二位线控制晶体管区，所述存储块的第二虚拟位线标记和所述第二位线连接部均设置在所述第二位线控制晶体管区中；当所述存储块具有所述第二字线层和所述第三存储单元层时，所述存储块还具有与所述第二字线对应设置并电性连接所述第二字线的第二字线连接部，所述存储器芯片还设有
控制所述存储块的第二字线控制晶体管区，所述存储块的第二虚拟字线标记和所述第二字线连接部均设置在所述第二字线控制晶体管区中。7.如权利要求4所述的存储器芯片，其特征在于，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，所述存储块的第一位线和第二位线在层叠方向上的投影有错位；当所述存储块具有所述第二字线层和所述第三存储单元层时，所述存储块的第一字线和第二字线在层叠方向上的投影有错位。8.如权利要求4所述的存储器芯片，其特征在于，当所述存储块具有所述第二位线层和所述第二存储单元层时，相邻第一位线之间、相邻第一存储单元之间、相邻第一字线之间、相邻第二存储单元之间、相邻第二位线之间、所述第一位线和所述第一字线之间、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，张恒，孙冰洋，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：