溅射沉积设备及溅射沉积方法技术

本发明专利技术提供一种溅射沉积设备和方法。设备包括腔体、复数个靶枪、惰性气体供应系统及第二气体供应系统；靶枪位于腔体内，各靶枪上均设置有靶材，复数个靶材绕一垂线对称设置以使得复数个靶材的辉区至少部分重叠以形成重叠沉积区；腔体内设置有载台，衬底上具有待沉积区，待沉积区位于重叠沉积区；第二气体供应系统包括第二气体管路，以向衬底表面供应第二气体；惰性气体供应系统包括惰性气体喷淋头，惰性气体喷淋头位于腔体内，用于朝复数个靶材的包含重叠沉积区在内的辉区供应惰性气体，以将靶材溅射出的粒子带到衬底表面。本发明专利技术有助于提高多靶共溅射制备的薄膜的均匀性，有助于延长靶材寿命和提高工艺良率。长靶材寿命和提高工艺良率。长靶材寿命和提高工艺良率。

【技术实现步骤摘要】
溅射沉积设备及溅射沉积方法


[0001]本专利技术属于气相沉积
，特别是涉及一种溅射沉积设备及溅射沉积方法。

技术介绍

[0002]物理气相沉积方法，尤其是溅射沉积方法是制备多元系材料的常用方法。随着半导体技术的飞速发展，多元系材料(包含两种或两种以上化学组分的材料)的应用越来越广泛，对多元系材料的制备效率提出了越来越高的要求。一个二元系材料A
x
B1‑
x
(其中x为元素A的成分比例)，如果选择x从0到1的10种成分组合，则可以基本获得材料A
x
B1‑
x
的性能。如果是一个三元系的材料A
x
B
y
C1‑
x
‑
y
，要想比较全面地研究，需要x，y各自独立的选取0到1的10个值，这就产生10
×
10＝100种组合，才能比较全面地获得A
x
B
y
C1‑
x
‑
y
(A、B、C及D为材料中的元素名称)的性能。同样的推理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射沉积设备，其特征在于，包括腔体、复数个靶枪、惰性气体供应系统及第二气体供应系统；所述复数个靶枪延伸至所述腔体内，各所述靶枪上均设置有靶材，所述靶材用于提供溅射粒子，复数个靶材绕一垂线对称设置以使得复数个靶材的辉区至少部分重叠以形成重叠沉积区；所述腔体内设置有载台，用于承载待处理的衬底，所述衬底上具有待沉积区，所述待沉积区位于所述重叠沉积区；第二气体供应系统包括第二气体管路，所述第二气体管路一端与第二气体源相连通，另一端自所述腔体外延伸到所述腔体内，以向衬底表面供应第二气体，第二气体包括反应气体和/或保护气体；所述惰性气体供应系统包括惰性气体喷淋头；所述惰性气体喷淋头位于所述腔体内，一端与惰性气体源相连通，另一端延伸到所述衬底的待沉积区的一侧，且所述惰性气体喷淋头的中心点与所述衬底的待沉积区的中心点均位于所述垂线上，所述惰性气体喷淋头用于朝复数个靶材的包含所述重叠沉积区在内的辉区供应惰性气体，以将所述靶材溅射出的粒子带到所述衬底表面以沉积形成共溅射薄膜。2.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其特征在于，复数个靶材的靶面均与水平面成一夹角，所述夹角为0度
‑
180度。3.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其特征在于，所述衬底位于所述靶材的下方且所述惰性气体喷淋头位于所述靶材的上方，或所述衬底位于所述靶材的上方且所述惰性气体喷淋头位于所述靶材的下方。4.根据权利要求3所述的溅射沉积设备，其特征在于，当所述衬底位于所述靶材的下方且所述惰性气体喷淋头位于所述靶材的上方时，所述溅射沉积设备还包括导流板，位于所述惰性气体喷淋头的下方，所述导流板为漏斗状，所述导流板的底部开口正对所述重...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫民，吴挺俊，陈玲丽，朱宇波，朱雷，俞文杰，
申请(专利权)人：上海集成电路材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：