【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其制备方法和用途
[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种硅晶圆的化学机械抛光技术
。
技术介绍
[0002]随着集成电路产业发展,先进制程工艺对硅晶圆的表面平坦度提出了更高的要求
。
化学机械抛光
(Chemical Mechanical Polishing
,
CMP)
以及双面化学机械抛光
(Double Side Polishing
,
DSP)
等技术都能够实现硅晶圆高度平坦化
。
[0003]CMP
技术属于化学作用和机械作用相结合的技术,具有处理速度快
、
研磨质量高
、
处理结果可靠等优点
。
但在加工过程中,由于硅晶圆的边缘区域抛光速率快于中心区域,导致硅晶圆外周边出现塌边现象
(Edge Roll
‑
off
,
ERO)
,对后续工艺步骤的质量和性能产生不利影响
。CMP
过程复杂,影响因素众多,包括工件表面的材料种类
、
抛光液的成分
、
抛光头的压力等等
。
目前已开发了相应的化学机械抛光液来改善塌边问题,但该抛光液无法对硅晶圆中心区域的平坦化产生效果,使得晶圆整体的平坦性欠佳
。
[0004]因此,急需一种能够有效减少硅晶圆边缘和中心区域塌边量,即能够提高硅晶圆表 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种化学机械抛光液,其特征在于,原料组分包括:含吗啉环水溶性小分子
、
主链或侧链含聚氧乙烯链的水溶性聚合物
、
磨料
、
碱性化合物和水
。2.
如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述含吗啉环水溶性小分子还具有磷氧基
、
羰基
、
酯基
、
醚基
、
酰胺基的一种或多种
。3.
如权利要求1或2所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述含吗啉环水溶性小分子包括
2,2
‑
二吗啉基二乙基醚
、
三
(4
‑
吗啉基
)
氧化膦
、4
‑
(2
‑
甲氧基乙基
)
吗啉中的一种或多种
。4.
如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述聚合物包括聚乙二醇
‑
嵌段
‑
聚丙二醇
‑
嵌段
‑
聚乙二醇
、
聚乙二醇
‑
聚乙烯醇接枝共聚物和羟乙基纤维素中的一种或多种
。5.
如权利要求4所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述聚乙二醇
‑
嵌段
‑
聚丙二醇
‑
嵌段
‑
聚乙二醇的数均分子量为
2000
~
100000
,的摩尔比为2~
10:1
;和
/
或,所述羟乙基纤维素的重均分子量为
10
万~
130
万;和
/
或,所述聚乙二醇
‑
聚乙烯醇接枝共聚物的数均分子量为1万~
50
万,聚乙烯醇接枝率为
20
%~
300
%
。6.
如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,以所述化学机械抛光液...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱峻立,刘奕然,朱雷,俞文杰,
申请(专利权)人:上海集成电路材料研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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