【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种电子束直写装置。
技术介绍
1、电子束光刻技术在微纳系统的集成电路光掩模制造领域具有不可替代的作用，是推动微纳系统特征尺寸不断降低的关键技术。电子束光刻技术的性能不仅依赖于电子光学系统的状态、环境温度、空间磁场等外部条件，而且当工艺节点深入到百纳米级及以下时，工艺条件的控制也变得至关重要。为了有效地提高电子束光刻的加工精度和图形生成质量，需要对电子束进行更精细的控制。
2、但是当多路电子束同时存在时，仅仅控制电子束的发射并不足以能保证直写的效率和质量。这是因为电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致所导致。不一样的束流强度导致直写时间不一致，均匀性不一致等亟需解决的问题。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种电子束直写装置，用于解决现有技术中电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致导致的直写时间不一致，均匀性不一致等问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种电子束直写装置，包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块；
3、所述控制模块用于产生i种控制信号；i为大于等于2的整数；
4、各电子束源输出模块分别连接
5、其中，各电子束源输出模块均包括接收单元、束流强度调控单元以及输出单元；所述束流强度调控单元用于提供强度调控信号；各接收单元的i个控制端分别接收对应的控制信号，并在同时接收到i种控制信号时产生开启信号；各输出单元分别接收对应的开启信号以及对应的强度调控信号，基于接收的所述开启信号以及所述强度调控信号发射对应的电子束并通过所述强度调控信号调控所述电子束的束流强度。
6、可选地，所述输出单元包括第一晶体管以及电子束源；所述第一晶体管的第一端连接第一电压源，第二端接收对应的开启信号，第三端接收对应的强度调控信号并连接所述电子束源的第一端；所述第一晶体管用于接收所述开启信号以及所述强度调控信号以产生控制电压输出至所述电子束源的第一端；所述电子束源的第二端连接第二电压源，第三端输出所述电子束。
7、可选地，所述束流强度调控单元122包括第二晶体管以及第一可变电阻器；所述第二晶体管的第一端接收第一调控信号，第二端接收第二调控信号，第三端连接第一可变电阻器的调节端；所述第一可变电阻器的第一固定端接地，第二固定端输出所述强度调控信号。
8、可选地，所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器；所述第三晶体管的第一端接收第一调控信号，第二端接收第二调控信号，第三端连接所述第二可变电阻器的调节端；所述第二可变电阻器的第一固定端接地，第二固定端经由所述第一电阻器连接至第三电压源；所述第四晶体管的第一端连接所述第二可变电阻器的第二固定端，第二端经由所述第二电阻器接地，第三端输出所述强度调控信号。
9、可选地，所述控制模块包括p根第一控制线、q根第二控制线；p、q为大于等于1的整数；且所述电子束源输出模块的数量小于等于所述第一控制线的数量与所述第二控制线的数量之间的乘积；各第一控制线与各第二控制线交叉排布，且各第一控制线分别产生第一控制信号、各第二控制线分别产生第二控制信号。
10、可选地，所述接收单元包括第五晶体管；所述第五晶体管的第一端以及第二端分别作为所述接收单元的第一控制端以及第二控制端，第三端输出所述开启信号。
11、可选地，所述控制模块还包括p根第三控制线、q根第四控制线；各第三控制线分别产生第三控制信号；各第四控制线分别产生第四控制信号。
12、可选地，所述接收单元包括第六晶体管以及第七晶体管；所述第六晶体管的第一端以及第二端分别作为所述接收单元的第一控制端以及第二控制端；所述第七晶体管的第一端以及第二端分别作为所述接收单元的第三控制端以及第四控制端；所述第六晶体管的第三端以及所述第七晶体管的第三端相连并输出所述开启信号。
13、可选地，电子束直写装置还包括电子束路径调控模块；所述电子束路径调控模块用于产生一组设置于环绕发射的所述电子束的偏置电压，以调控电子束的运动路径。
14、可选地，所述电子束直写装置还包括总控模块；所述总控模块分别连接各电子束源输出模块以及控制模块，用于选择导通对应的电子束源输出模块进而发射电子束，以及调节所述电子束源输出模块中的束流强度调控单元进而调控发射的电子束的束流强度。
15、如上所述，本专利技术的一种电子束直写装置，具有以下有益效果：
16、1、本专利技术的电子束直写装置通过设置束流强度调控单元，进而调控了个电子束源的束流强度，进而避免了电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致导致的直写时间不一致，均匀性不一致等问题。
17、2、本专利技术的电子束直写装置对每个电子束源配置了独立的控制电路，可以使电子束源保持稳定的工作状态、实现高效率直写。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子束直写装置，其特征在于，所述电子束直写装置包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块；
2.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：所述输出单元包括第一晶体管以及电子束源；
3.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元122包括第二晶体管以及第一可变电阻器；
4.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器；
5.根据权利要求1～4所述的电子束直写装置，其特征在于：所述控制模块包括P根第一控制线、Q根第二控制线；P、Q为大于等于1的整数；且所述电子束源输出模块的数量小于等于所述第一控制线的数量与所述第二控制线的数量之间的乘积；
6.根据权利要求5所述的电子束直写装置，其特征在于：所述接收单元包括第五晶体管；
7.根据权利要求1～4所述的电子束直写装置，其特征在于：所述控制模块还包括P根第三控制线、Q根第四控制线；
8.根据权利要求7所述的电子束直写装置，其特征
9.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：电子束直写装置还包括电子束路径调控模块；
10.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：所述电子束直写装置还包括总控模块；
...【技术特征摘要】
1.一种电子束直写装置，其特征在于，所述电子束直写装置包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块；
2.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：所述输出单元包括第一晶体管以及电子束源；
3.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元122包括第二晶体管以及第一可变电阻器；
4.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器；
5.根据权利要求1～4所述的电子束直写装置，其特征在于：所述控制模块包括p根第一控制线、q根第二控制线；p、q为大于等于1的整...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，王诗男，
申请(专利权)人：上海集成电路材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。