一种电子束直写装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子束直写装置，包括控制模块以及至少一个电子束源输出模块；控制模块用于产生i种控制信号；i为大于等于2的整数；各电子束源输出模块中任一电子束源输出模块在同时接收到i种控制信号时开启，进而发射对应的电子束；其中，各电子束源输出模块均包括接收单元、束流强度调控单元以及输出单元；束流强度调控单元用于提供强度调控信号；各接收单元的i个控制端在同时接收到i种控制信号时产生开启信号；各输出单元基于接收的开启信号以及强度调控信号发射对应的电子束并通过强度调控信号调控电子束的束流强度。本发明专利技术有效解决了电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致导致的直写时间不一致，均匀性不一致等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种电子束直写装置。

技术介绍

1、电子束光刻技术在微纳系统的集成电路光掩模制造领域具有不可替代的作用，是推动微纳系统特征尺寸不断降低的关键技术。电子束光刻技术的性能不仅依赖于电子光学系统的状态、环境温度、空间磁场等外部条件，而且当工艺节点深入到百纳米级及以下时，工艺条件的控制也变得至关重要。为了有效地提高电子束光刻的加工精度和图形生成质量，需要对电子束进行更精细的控制。

2、但是当多路电子束同时存在时，仅仅控制电子束的发射并不足以能保证直写的效率和质量。这是因为电子束源阵列中各电子束源的束流强度不一致所导致。不一样的束流强度导致直写时间不一致，均匀性不一致等亟需解决的问题。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子束直写装置，其特征在于，所述电子束直写装置包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块；

2.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：所述输出单元包括第一晶体管以及电子束源；

3.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元122包括第二晶体管以及第一可变电阻器；

4.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器；

5.根据权利要求1～4所述的电子束直写装置，其特征在于：所述控制模块包括P根第一控制线、Q根第...

【技术特征摘要】

1.一种电子束直写装置，其特征在于，所述电子束直写装置包括：控制模块以及至少一个电子束源输出模块；

2.根据权利要求1所述的电子束直写装置，其特征在于：所述输出单元包括第一晶体管以及电子束源；

3.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元122包括第二晶体管以及第一可变电阻器；

4.根据权利要求2所述的电子束直写装置，其特征在于：所述束流强度调控单元包括第三晶体管、第四晶体管、第二可变电阻器、第一电阻器以及第二电阻器；

5.根据权利要求1～4所述的电子束直写装置，其特征在于：所述控制模块包括p根第一控制线、q根第二控制线；p、q为大于等于1的整...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，王诗男，
申请(专利权)人：上海集成电路材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：