用于高形貌选择性的自停止性抛光组合物与方法技术

本发明专利技术提供化学机械抛光组合物，其包含：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高形貌选择性的自停止性抛光组合物与方法

技术介绍

[0001]在集成电路及其它电子器件的制造中，将导电
、
半导电及介电材料的多个层沉积至基板表面上或自基板表面移除
。
随着材料的层依序地沉积至基板上且自该基板移除，基板的最上部表面可能变得不平坦且需要平坦化
。
使表面平坦化或使表面“抛光”是其中将材料自基板表面移除以形成大体上均匀
、
平坦的表面的工艺
。
平坦化可用于移除不合需要的表面形貌
(
拓朴学，
topography)
及表面缺陷，诸如粗糙表面
、
团聚的材料
、
晶格损伤
、
刮痕
、
以及被污染的层或材料
。
平坦化也可用于通过移除用以填充特征的过量沉积材料而在基板上形成特征，并用于为后续层级的金属化及加工提供均匀表面
。
[0002]用于将基板表面平坦化或抛光的组合物及方法是本领域中公知的
。
化学机械平坦化或化学机械抛光...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
化学机械抛光组合物，包含：
(a)
选自氧化铈研磨剂
、
氧化锆研磨剂及其组合的研磨剂；
(b)
选自式
(I)
化合物的自停止剂：其中
R
选自：氢
、
烷基
、
环烷基
、
芳基
、
杂环烷基及杂环芳基，其各自可经取代或未经取代；
(c)
阳离子单体化合物；及
(d)
水，其中该抛光组合物的
pH
值为约
5.5
至约
8。2.
权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物包含约
0.001
重量％至约
10
重量％的所述研磨剂
。3.
权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物包含约
0.05
重量％至约5重量％的所述研磨剂
。4.
权利要求1的抛光组合物，其中该研磨剂为氧化铈研磨剂
。5.
权利要求1的抛光组合物，其中该抛光组合物的
pH
值为约
5.5
至约
7。6.
权利要求5的抛光组合物，其中该抛光组合物的
pH
值为约6至约
6.5。7.
权利要求1的抛光组合物，其中该自停止剂选自异羟肟酸
、
乙酰基异羟肟酸
、
苯基异羟肟酸
、
水杨基异羟肟酸及其组合
。8.
权利要求7的抛光组合物，其中该自停止剂为苯基异羟肟酸
。9.
权利要求1的抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物进一步包含非离子聚合物
。10.
权利要求9的抛光组合物，其中该非离子聚合物选自聚亚烷基二醇
、
聚醚胺
、
聚环氧乙烷
/
聚环氧丙烷共聚物
、
聚丙烯酰胺
、
聚乙烯基吡咯烷酮
、
硅氧烷聚环氧烷烃共聚物
、
经疏水改性的聚丙烯酸酯共聚物
、
亲水性的非离子聚合物
、
多醣及其组合
。11.
权利要求
10
的抛光组合物，其中该非离子聚合物为聚环氧乙烷
/
聚环氧丙烷共聚物
。12.
权利要求1的抛光组合物，其中该阳离子单体化合物选自丙烯酸2‑
(
二甲基氨基
)
乙酯
(“DMAEA”)、
甲基丙烯酸2‑
(
二甲基氨基
)
乙酯
(“DMAEM”)、3
‑
(
二甲基氨基
)
丙基甲基丙烯酰胺
(“DMAPMA”)、3
‑
(
二甲基氨基
)
丙基丙烯酰胺
(“DMAPA”)、3
‑
甲基丙烯酰氨基丙基
‑
三甲基氯化铵
(“MAPTAC”)、3
‑
丙烯酰氨基丙基
‑
三甲基氯化铵
(“APTAC”)、
二烯丙基二甲基氯化铵
(“DADMAC”)、2
‑
(
丙烯酰氧基
)
‑
N,N,N
‑
三甲基乙铵氯化物
(“DMAEA.MCQ”)、2
‑
(
甲基丙烯酰氧基
)
‑
N,N,N
‑
三甲基乙铵氯化物
(“DMAEM.MCQ”)、
丙烯酸
N,N
‑
二甲基氨基乙酯苯甲基氯
(“DMAEA.BCQ”)、
甲基丙烯酸
N,N
‑
二甲基氨基乙酯苯甲基氯
(“DMAEM.BCQ”)、
其盐及其组合
。13.
权利要求
12
的抛光组合物，其中该阳离子单体化合物为二烯丙基二甲基氯化铵
(“DADMAC”)
或其盐
。14.
化学机械地抛光基板的方法，包括：
(i)
提供基板，
(ii)
提供抛光垫，
(iii)
提供化学机械抛光组合物，该化学机械抛光组合物包含：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张柱然，S，
申请(专利权)人：CMC，
类型：发明
国别省市：