一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂，以重量份数计，磨抛剂由如下组分制成：改性多晶金刚石0.5～35份、D120溶剂油60～80份、分散剂0.5～5份、悬浮剂1～10份、润滑剂0.5～5份、表面活性剂0.5～5份；制备方法包括如下步骤：将改性多晶金刚石、D120溶剂油加入到配液桶中，超声搅拌5～10min，然后加入分散剂和悬浮剂，超声搅拌5～10min，最后加入润滑剂和表面活性剂，超声搅拌5～10min，混合均匀后得到所述磨抛剂；改性多晶金刚石微粉能够在介质中长期、稳定分散，制备得到的磨抛剂具有良好的冷却性和清洗性、优越的润滑性、高悬浮性、高团聚抑制能力。高团聚抑制能力。高团聚抑制能力。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及磨抛剂领域，具体涉及一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]单晶碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为第三代半导体材料(也称为宽禁带半导体材料)，与硅(Silicon，Si)和砷化镓(Gallium Arsenide，GaAs)为代表的第一代与第二代半导体材料相比，具有显著的使用性能优势，如节能、大功率等，是光电器件的理想衬底材料。目前，各领域传统硅基半导体器件在很多方面的性能已经接近极限，因此SiC将成为突破相关瓶颈的优选材料。另一方面，应用于半导体领域的碳化硅衬底对平坦度、TTV、表面粗糙度等方面要具有更高的精度要求。但是，由于碳化硅单晶的硬度极高且耐腐蚀性优良，导致碳化硅衬底的加工性较差，难以在维持高研磨速度的同时保持高质量表面。
[0003]由于碳化硅硬度仅次于金刚石，故在对碳化硅单晶衬底进行研磨时，通常采用金刚石作为磨料，多晶金刚石拥有高的去除率和韧性，具有自锐性，与单晶金刚石比起来，更不容易产生表面划伤，因此多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅加工用多晶金刚石磨抛剂，其特征在于，以重量份数计，由如下组分制成：改性多晶金刚石0.5～35份、D120溶剂油60～80份、分散剂0.5～5份、悬浮剂1～10份、润滑剂0.5～5份、表面活性剂0.5～5份。2.一种如权利要求1所述的磨抛剂，其特征在于，所述改性多晶金刚石的制备方法包括如下步骤：(1)将多晶金刚石真空干燥，待冷却后加入到硫酸中，然后加入KMnO4粉末，超声处理，密封搅拌反应，待产物冷却后洗涤至中性、干燥过夜，得到羧基化多晶金刚石；(2)将羧基化多晶金刚石、邻甲苯基缩水甘油醚、磷酸加入到反应容器中，在氮气氛围下搅拌反应，将产物过滤、洗涤、干燥，得到预改性多晶金刚石；(3)将预改性多晶金刚石分散至丙交酯中，超声处理，然后加入辛酸亚锡，在氮气氛围下搅拌反应，将产物过滤、洗涤、干燥，得到改性多晶金刚石。3.根据权利要求2所述的磨抛剂，其特征在于，步骤(1)中，所述多晶金刚石的粒径为1～10μm。4.根据权利要求2所述的磨抛剂，其特征在于，步骤(1)中，真空干燥条件为50～70℃下干燥18～24h；硫酸浓度为95～98wt％，超声处理时间为0.5～1h。5.根据权利要求2所述的磨抛剂，其特征在于，步骤(1)中，多晶金刚石、硫酸、KMnO4的重量比为10：120～150：8～14；搅拌反应条件为150～180℃下反应3～6h。6.根据权利要求2所述的磨抛剂，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周超锋，李勃，王续，解立新，季云桂，杨筱，
申请(专利权)人：南京金瑞立丰硬质材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：