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非接触式硅片夹持装置制造方法及图纸

技术编号:3170450 阅读:228 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种非接触式硅片夹持装置。包括喷气腔、吸气腔。喷气腔进气口沿圆周切向布置,喷气腔顶部与吸气腔顶部通过螺纹配合,吸气腔的上圆柱面开有多个通气孔,吸气腔内部被隔板隔开,喷气腔内壁面和吸气腔外壁面配合形成旋转气流的流通通道,喷气腔进气口的气流,经切向布置的喷气腔进气口进入喷气腔,形成旋转气流,旋转气流通过通气孔抽吸吸气腔中的气体,旋转气流沿流通通道,喷射到硅片的表面,硅片在喷出气体的排斥力、吸气腔的真空吸力及重力的作用下实现自稳定悬浮。本发明专利技术结构简单、工艺性好、操作简单等优点,实现了硅片的非接触式夹持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片夹持装置,尤其涉及一种非接触式硅片夹持装置
技术介绍
硅片的夹持是集成电路(ic)生产工艺和微纳制造中的一个重要环节,在现有的IC生产线中,硅片的输运仍以真空吸盘等接触式夹持方式为主,硅片与夹持物的直接接触往往造成硅片表面的污染和划伤,甚至会因受力不均使硅片 产生翘曲变形,这对于具有纳米级制造精度的芯片制造会造成废品率增加等诸 多问题。为此,硅片的非接触夹持技术近年来受到各国的高度重视,并将逐步成为下一代IC生产工艺中的标准配置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非接触式硅片夹持装置,通过喷气腔产生的旋 转气流将吸气腔抽吸成真空,硅片在喷出气体的排斥力、吸气腔的真空吸力及 重力的作用下自稳定的悬浮,从而实现硅片的非接触式夹持。为了达到上述目的,本专利技术所采用的技术方案是包括喷气腔、吸气腔;喷气腔上部内圆柱面开有沿圆周切向布置的喷气腔 进气口,喷气腔下部为中空腔体,吸气腔上部圆柱面开有沿圆柱面轴向分布的 径向通气孔,吸气腔中装有等分的隔极,吸气腔安装在喷气腔内,吸气腔上部 圆柱面与喷气腔上部形成螺纹配合,喷气腔下部与吸气腔下部形成流通通道(7)。所述的喷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触式硅片夹持装置,其特征在于:包括喷气腔(1)、吸气腔(5);喷气腔(1)上部内圆柱面开有沿圆周切向布置的喷气腔进气口(2),喷气腔(1)下部为中空腔体,吸气腔(5)上部圆柱面开有沿圆柱面轴向分布的径向通气孔(4),吸气腔(5)中装有等分的隔极(6),吸气腔(5)安装在喷气腔(1)内,吸气腔(5)上部圆柱面与喷气腔(1)上部形成螺纹配合,喷气腔(1)下部与吸气腔(5)下部形成流通通道(7)。

【技术特征摘要】
1.一种非接触式硅片夹持装置,其特征在于包括喷气腔(1)、吸气腔(5);喷气腔(1)上部内圆柱面开有沿圆周切向布置的喷气腔进气口(2),喷气腔(1)下部为中空腔体,吸气腔(5)上部圆柱面开有沿圆柱面轴向分布的径向通气孔(4),吸气腔(5)中装有等分的隔极(6),吸气腔(5)安装在喷气腔(1)内,吸气腔(5)上部圆柱面与喷气腔(1)上部形成螺纹配合,喷气腔(1)下部与吸气腔(5)下部形成流通通道(7)。2. 根据权利要求1所述的一种非...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹俊王利军傅新
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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