光传感器制造技术

本发明专利技术提供一种光传感器。为了提高在Ｘ射线摄像显示装置等中所使用的光传感器的输出性能，需要增加在一个传感器结构要素的面积中光电二极管的面积所占的比例。因此，跨过接触孔的开口边缘形成光电二极管，但是，判明依赖于边缘长度的漏电流增大。由于漏电流使光传感器的灵敏度下降，因此漏电流的控制不可缺少。本发明专利技术提供一种具有在漏电极（７）上形成的接触孔（ＣＨ１）的开口边缘包含光电二极管（１００）的边缘的配置关系的光传感器的阵列衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板的光传感器，其具有矩阵状地配置有将可见光转换为电荷的光电二极管和开关元件所使用的薄膜晶体管(以后称为TFT) 的有源矩阵型的TFT阵列衬底。
技术介绍
作为具有TFT阵列衬底的平板的光传感器被应用于紧密接触图像 传感器或X射线摄像显示装置等并广泛使用，该TFT阵列衬底配置有 对可见光进行光电转换的光电二极管与TFT。特别是，在TFT阵列衬底 上设置将X射线转换为可见光的闪烁器而构成的平板X射线摄像显示 装置(以后称为FPD)是有希望应用于医疗产业等的装置。在X射线图像诊断的领域，分开使用精密图像(静止图像)和实时 图像观察(活动图像)。在静止图像的摄影中，目前仍主要使用X射线 胶片。另一方面，在活动图像的摄影中，使用组合有光电倍增管和CCD 的摄像管(图像增强器)。对于X射线胶片来说，空间分辨率较高，另 一方面，存在如下缺点灵敏度(sensitivity)较低，只能对静止图像进 行摄影，摄影后需要进行显影处理，即时性不足。另一方面，对于摄像 管来说，能够灵敏度较高地对活动图像进行摄影，另一方面，空间分辨 率较低并且是真空装置，因此存在在大型化上有限制的缺点。FPD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器，具有矩阵状地配置有光电二极管和薄膜晶体管的有源矩阵型的ＴＦＴ阵列衬底，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：具有栅电极的多条栅极布线；隔着栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层；与所述半导体层连接的源电极以及漏电极，所述ＴＦＴ阵列衬底具有：钝化膜，设置在所述薄膜晶体管、所述源电极和所述漏电极的上部；在所述钝化膜上开口的接触孔；光电二极管，通过所述接触孔与所述漏电极连接，所述光电二极管以如下方式形成，即，比所述接触孔的开口边缘更靠近内侧并且比所述漏电极的图形更靠近内侧，所述光电二极管的形成区域的下层平坦。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-14 2007-1278891.一种光传感器，具有矩阵状地配置有光电二极管和薄膜晶体管的有源矩阵型的TFT阵列衬底，其特征在于，所述薄膜晶体管具有具有栅电极的多条栅极布线；隔着栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层；与所述半导体层连接的源电极以及漏电极，所述TFT阵列衬底具有钝化膜，设置在所述薄膜晶体管、所述源电极和所述漏电极的上部；在所述钝化膜上开口的接触孔；光电二极管，通过所述接触孔与所述漏电极连接，所述光电二极管以如下方式形成，即，比所述接触孔的开口边缘更靠近内侧并且比所述漏电极的图形更靠近内侧，所述光电二极管的形成区域的下层平坦。2. 如权利要求l的光传感器，其特征在于，还具有以通过所述接触孔与所述漏电极连接的方式形成的下部电极，所述光电二极管以通过所述下部电极与所述漏电极连接的方式形成。3. 如权利要求2的光传感器，其特征在于， 所述下部电极以覆盖所述接触孔的开口边缘的方式形成。4. 如权利要求2的光传感器，其特征在于，所述漏电极具有位于所述半导体层上的区域和形成所述光电二极 管的区域之间并连接这两个区域的连接部分，在所述连接部分，所述下部电极覆盖所述接触孔的重叠量比在所述 连接部分以外所述下部电极覆盖所迷接触孔的重叠量大。5. 如权利要求2的光传感器，其特征在于，所述漏电极具有位于所述半导体层上的区域和形成所述光电二极 管的区域之间并连接这两个区域的连接部分，在所述连接部分以外的区 域，包括所述下部电极比所述接触孔的开口边缘更靠近内侧的部位。6. 如权利要求1的光传感器，其特征在于， 在形成所述光电二极管的区域不存在台阶差.。7. 如权利要求1的光传感器，其特征在于， 形成所述栅电极的金属包含将铝或...

【专利技术属性】
技术研发人员：林正美，宫山隆，村井博之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]