管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法技术

本发明专利技术公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和/或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。行失效分析。行失效分析。

【技术实现步骤摘要】
管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法。

技术介绍

[0002]3D NAND存储器例如是堆叠封装芯片，其中，多个管芯(die)堆叠和粘接在一起，以形成多层结构来提供更大的存储容量。随着市场对单颗存储器芯片的存储容量的需求越来越高，在堆叠封装芯片中堆叠的管芯多达16层，甚至更多。采用堆叠封装芯片不仅能增加存储密度，其在寿命、性能、稳定性等方面也拥有更佳的表现。
[0003]然而，对堆叠封装芯片进行失效分析却变得困难。对单个管芯进行失效分析时，通常从管芯背面，即衬底所在面，进行热点定位。随着芯片集成度的提高，成像上的一个热点包含上百甚至更多晶体管，单纯从管芯背面进行热点定位难以准确定位失效点，因此，现有技术在从管芯背面进行热点定位后，还需从管芯的正面去层至目标位置以进一步定位失效点。因而在对堆叠封装芯片进行失效分析时，则需要从堆叠封装芯片引线框所在的背面研磨至故障管芯的衬底露出，从堆叠封装芯片的正面研磨至故障管芯的器件层露出，再按照上述单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种管芯失效分析方法，所述管芯包括衬底以及位于所述衬底上的器件层，所述失效分析方法包括：从所述管芯的背面，即衬底所在面，对所述管芯中的缺陷进行热点定位；从所述管芯的背面，去除所述衬底以暴露目标线路；以及在所述管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。2.根据权利要求1所述的管芯失效分析方法，在所述从所述管芯的背面，对所述管芯中的缺陷进行热点定位的步骤之后，还包括：根据所述热点定位采用激光在所述衬底表面形成标记点，以确定第一目标区域。3.根据权利要求2所述的管芯失效分析方法，所述从所述管芯的背面，对所述管芯中的缺陷进行热点定位包括：采用微光显微镜、光诱导电阻变化中的任意一者或者二者的结合从所述管芯的背面，对所述管芯中的缺陷进行热点定位。4.根据权利要求3所述的管芯失效分析方法，所述从所述管芯的背面，去除所述衬底以暴露目标线路包括：采用聚焦离子束或者电浆聚焦离子束中的任意一者切削所述第一目标区域上的衬底材料，将所述第一目标区域的衬底厚度削减至预设值；根据布局图确定包括所述目标线路的第二目标区域，采用所述聚焦离子束或者所述电浆聚焦离子束中的任意一者去除所述第二目标区域的衬底材料以形成暴露所述目标线路的开孔；其中，所述第二目标区域位于所述第一目标区域中。5.根据权利要求1所述的管芯失效分析方法，所述在所述管芯的背面进行电测量以获得缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆林，仝金雨，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：