【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
同样,传统陶瓷探针棒将探针插入在其一侧或两侧形成的一个或两 个窄槽并随后用环氧化物将其固定在那里。但是,由于陶瓷材料^f艮坚固, 开槽时不同地形成窄槽的深度和宽度,偏离最初设定值。大多数情况下, 这样的偏差主要出现在窄槽的中间部分。也就是说,由于执行这样的开槽, 窄槽的累积公差增大。结果,最后形成的窄槽的尺寸与最初形成的窄槽的 尺寸相差悬殊。用于多个芯片的传统探针棒是以这样的方式制造的,即加工大于 lOOmm的探针并随后用环氧化物和胶粘剂将其固定到探针棒上。但是,来 自环氧化物和胶粘剂的应力使得探针棒的中间部分弯曲大约30 n m。传统探针卡对于8英寸晶片要求大于8英寸的陶瓷板,对于12英寸的 晶片要求大于12英寸的陶瓷板。[16在高温条件下测试8英寸的陶瓷板时,分别在长度和宽度方向上发生 35jtm的热膨胀。陶资板尺寸越大,热膨胀越增大,从而增大陶资板的面积。 通常,探针卡在低于25。C的温度下被制造成具有芯片焊盘间距。但 是,测试晶片时,其第一测试步骤是在25X:的室温条件下、其第二测试步 骤是在85~ 100。C的高温条件下、其第三测试步骤是在低温条件下执行。 本专利技术的上述及其它目的、特征和其它优点将结合附图在下面详细 说明,在附图中38附图说明图1是前视图,其示出了依照本专利技术的用于测试半导体器件的探针卡 的探针; 这里,第一金属层优选地由Ni合金形成,第二层优选地由具有高传 导性的金属形成,第三层优选地由具有良好耐磨性、硬度和弹性的金属制 成。另一方面,用于第一金属层的材料不限于Ni合金。同样,用于第二和 第三金属层的材料可以选自 ...
【技术保护点】
一种用于测试半导体器件的探针卡,其包括: 探针,用于吸收和分散弹力; 探针棒,用于容纳该探针并防止该探针弯曲;以及 探针块座体,用于安装相互并列地连接的探针块,其中每个探针块在探针棒装配在一起时形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-12-26 20-2005-00363271.一种用于测试半导体器件的探针卡,其包括探针,用于吸收和分散弹力;探针棒,用于容纳该探针并防止该探针弯曲;以及探针块座体,用于安装相互并列地连接的探针块,其中每个探针块在探针棒装配在一起时形成。2. 如权利要求l所述的探针卡,其中所述探针包括下端接触单元, 该下端接触单元包括弹簧形状的挠性支撑单元,其具有单级或双级结构; 用于吸收弹力的弹力吸收单元,其具有f 的截面; 以及半圆形状的针部。3. 如权利要求l所述的探针卡,其中所述探针在其本体中形成多个孔, 所述孔释放在高温条件下执行测试时所产生的热。4. 如权利要求l所述的探针卡,其中探针以这样的方式构造,即具有单 级或双级结构的弹簧形状的挠性支撑单元在与下端接触单元臂状物相连接 的一部分处被切割,形成间隔部,其中所述臂状物在该探针刮擦焊盘时在 间隔部分内有限制地移动。5. 如权利要求l所述的探针卡,其中所述探针的下端接触单元以这样的 方式形成,即弹簧状结构对称地排列而针部位于其中心。6. 如权利要求5所述的探针卡,其中所述下端接触单元为对称形状,并 且位于针部相对侧的弹簧比针部的弹簧更厚,所述针部的臂状物具有悬臂...
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