【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
0001本专利技术一般地涉及电学器件并涉及电学器件的组装。更具体地, 本专利技术涉及射频识别(RFID)内插器和/或器件的组装。
技术介绍
0002挑选和放置技术常常被用于组装电学器件。挑选和放置技术典 型地包括复杂的机器人组件和一次仅处理一个管芯的控制系统。这些技 术可以利用操纵器(如机器人臂)来从集成电路(IC)芯片的晶片上移 除IC芯片或管芯,并将它们放置在芯片承载器、传送器上或直接放置在 衬底上。如果非直接安装,这些芯片随后与诸如天线、电容器、电阻器 和电感器的其它电组件一起被安装在衬底上以形成电学器件。0003可以利用挑选和放置技术进行组装的一类电学器件是射频识别(RFID)发射应答器。RFID嵌体、标牌和标签(在这里统称为发射应 答器)被广泛用于使物体与识别代码相关联。嵌体(或内嵌发射应答 器)是典型地具有基本平的外形的识别发射应答器。内嵌发射应答器的 天线可以是沉积在非导电支撑物上的导电迹线的形式。该天线具有适当 的形状,诸如扁平线圈或其它几何形状。天线的引线也被沉积,且根据 需要插入非导电层。存储及任何控制功能由安装在支撑物上的芯片提供 并操作性地通过引线连接到天线。RFID嵌体可以被结合或层压到所选择 的标签或标牌材料上,这些材料由薄膜、纸、层压薄膜和纸或者适用于 特定最终用途的其它柔性薄片材料制成。然后得到的RFID标签原材或 RFID标牌原材可以与文字和/或图片套印,并按具体形状和尺寸冲切成连 续标签巻,或单标签或多标签薄片,或标牌巻或薄片。0004在很多RFID应用中,希望将电组件的尺寸降低到尽可能小。为 了互联非常小的芯片和RF ...
【技术保护点】
一种制作电学器件的方法,所述方法包含: 在衬底上放置芯片; 加热所述衬底;以及 当所述衬底处于升高的温度时将所述芯片嵌入到所述衬底内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-21 11/314,9881.一种制作电学器件的方法,所述方法包含在衬底上放置芯片;加热所述衬底;以及当所述衬底处于升高的温度时将所述芯片嵌入到所述衬底内。2. 如权利要求1所述的方法,其中在衬底上放置芯片包括放置作为 RFID内插器的一部分的芯片,所述RFID内插器包括安装在所述芯片上的 内插器引线。3. 如权利要求1所述的方法,其中在衬底上放置芯片包括将所述芯片 放置在热塑性材料的衬底上。4. 如权利要求1所述的方法,其中对所述衬底施加热量包括对所述 芯片和所述衬底中的至少一个施加电磁辐射。5. 如权利要求4所述的方法,射。6. 如权利要求4所述的方法, 外辐射。7. 如权利要求1所述的方法, 片按压到所述衬底内。8. 如权利要求1所述的方法, 芯片按压到所述衬底内。其中所述施加电磁辐射包括施加热辐 其中所述施加电磁辐射包括施加近红 其中所述嵌入包括通过滚筒将所述芯 其中所述嵌入包括通过压力器将所述9.如权利要求1所述的方法,进一步包含将所述芯片耦合到电组件。10. 如权利要求9所述的方法,其中将所述芯片耦合到电组件包括将 所述芯片耦合到天线结构。11. 如权利要求9所述的方法,其中所述耦合包括将包括所述电组件的巻状物层压到所述衬底上。12. 如权利要求9所述的方法,其中所述耦合包括将导电材料印刷到 所述衬底上。13. 如权利要求9所述的方法,其中所述耦合包括将所述芯片耦合到 在所述衬底上预先形成的天线结构。14. 由权利要求l所述的方法形成的器件。15. —种制作电学器件的方法,所述方法包含 加热芯片;将所述芯片嵌入到衬底中;以及 将所述芯片耦合到电组件。16. 如权利要求15所述的方法,其中将所述芯片嵌入到衬底中包括加 热所述衬底的一个区域及所述芯片,所述芯片要被嵌入到所述区域中。17. 如权利要求16所述的方法,其中所述加热包括传导式加热。18. 如权利要求15所述的方法,进一步包含将平坦化层层压到所述 芯片或衬底中的至少一个上,所述平坦化层包括所述电组件。19. 如权利要求18所述的方法,其中所述层压包括将所述平坦化层 和所述芯片或所述衬底中的至少一个按压在一起;且其中所述按压实现 所述嵌入和所述耦合。20. 如权利要求15所述的方法,其中所述芯片是RFID内插器的一部 分,所述RFID内插器包括附着在RFID芯片上的内插器引线。21. 如权利要求15所述的方法,其中所述衬底是热塑性材料。22. 如权利要求15所述的方法,其中加热所述芯片包括向所述芯片 施加电磁辐射。23. 如权利要求22所述的方法,其中所述施加电磁辐射包括施加热 辐射。24. 如权利要求23所述的方法,其中所述施加电磁辐射包括施加近 红外辐射。25. 如权利要求15所述的方法,其中所述嵌入包括通过滚筒将所述 芯片按压到所述衬底内。26. 如权利要求15所述的方法,其中所述嵌入包括通过压力器将所 述芯片按压到所述衬底内。27. 如权利要求15所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:SW弗格森,A梅拉比,R梅拉比,
申请(专利权)人:艾利丹尼森公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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