铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器制造技术

本发明专利技术提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明专利技术的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜x＜23t的关系。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铁电薄膜，其采取如下形态，即由选自Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物B混合在由通式：(PbxLay)(ZrzTi(1?z))O3所示的复合金属氧化物A中的混合复合金属氧化物的形态，式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9，金属氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A为0≤B/A＜0.1，其特征在于，层叠2～23层的烧成层而构成，所述烧成层的厚度t为45～500nm，所述烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200～5000nm，所述烧成层均满足1.5t＜x＜23t的关系。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：野口毅，樱井英章，藤井顺，渡边敏昭，曽山信幸，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：