本发明专利技术提供一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，上述显示板具有基板，上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其中，上述薄膜晶体管具有：形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜之上，形成于上述半导体层上的栅电极；形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置，尤其涉及具有由多晶硅构成的薄膜晶体管(TFT, Thin Film Transistor )的显示装置。
技术介绍
以往，作为液晶显示装置之一被公知的有在每一像素中具有有 源元件并使该有源元件进行开关工作的有源矩阵型液晶显示装置。作为该有源矩阵型液晶显示装置之一被公知的有使用由多晶硅 来构成半导体层的薄膜晶体管(以下称为多晶硅薄膜晶体管)作为有 源元件的TFT方式的有源矩阵型液晶显示装置。在使用多晶硅薄膜晶体管作为有源元件的液晶显示组件(以下称 为Poly-SiTr-TFT液晶显示组件)的液晶显示板中，在石英或玻璃 基板上将多晶硅薄膜晶体管配置形成为矩阵状。由于多晶硅薄膜晶体 管的工作速度高于半导体层由非晶硅构成的薄膜晶体管的工作速度， 因此，在Poly-SiTr-TFT液晶显示组件的液晶显示板中，其外围电 路也可以在同 一基板上制作。
技术实现思路
上述多晶硅薄膜晶体管通过低温多晶硅技术等而形成在玻璃基 板上。但是，在散热性较低的玻璃基板上形成的多晶硅薄膜晶体管中存 在如下问题，即，在利用IOV以上的高栅极电压、IOV以上的高漏极 电压进行导通工作时，由于50(^A级以上的漏电流而成为至少100°C 以上的高温，因该自发热引起的特性变动将有损产品的可靠性。于提供如下这样的技术在显示装置中，可以防止由于形成在散热性 低的基板上的、半导体层由多晶硅构成的薄膜晶体管的自发热引起的 特性变动。本专利技术的上述及其他目的和新特征将通过本说明书的记载和附图而得以明确。简要说明本申请公开的专利技术中的代表性技术方案如下。 一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板、和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，上述驱动电路具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其中，将薄膜晶体管形成在基板(例 如散热性较低的玻璃基板)上，且用由热传导率高的金属构成的金属层(例如栅极布线层、或源极布线层、或漏极布线层)隔着绝缘膜覆 盖薄膜晶体管的栅电极，上述薄膜晶体管是在通常的电路工作下就会流过500pA以上电流而自发热的薄膜晶体管。由此，在本专利技术中，将薄膜晶体管导通工作时产生的热通过金属 层而散热，从而能够抑制特性变动。简要说明本申请公开的专利技术中代表性技术方案所得到的效果如下。根据本专利技术的显示装置，可以防止由于形成在散热性低的基板上 的、半导体层由多晶硅构成的薄膜晶体管的自发热而引起的特性变动。附图说明图1是表示本专利技术实施例的液晶显示组件的液晶显示板的等效电路的图。图2是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导 体层的多晶硅薄膜晶体管的电极构造的俯视图。图3是表示沿图2的A-A，剖切线的截面构造的剖视图。图4是表示沿图2的A-A，剖切线的截面构造的另一例子的剖视图。图5是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导 体层的多晶硅薄膜晶体管的另 一例子的电极构造的俯视图。图6是表示沿图5的A-A'剖切线的截面构造的剖视图。图7是表示沿图5的A-A，剖切线的截面构造的另一例子的剖视图。图8是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导 体层的多晶硅薄膜晶体管的另 一 例子的电极构造的俯视图。 图9是表示沿图8的A-A，剖切线的截面构造的剖视图。 图10是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半 导体层的多晶硅薄膜晶体管的另 一 例子的电极构造的俯视图。 图ll是表示沿图10的A-A，剖切线的截面构造的剖视图。 图12是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半 导体层的多晶硅薄膜晶体管的另 一 例子的电极构造的俯视图。具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。在用于说明实施例的所有附图中，对同样构件标注相同附图标记 并省略其重复说明。图1是表示本专利技术实施例的液晶显示组件的液晶显示板的等效电路的图。在图1中，100表示显示部，110表示水平移位寄存器电路(也 称为图像线移位寄存器)，120表示垂直移位寄存器电路(也称为扫 描线移位寄存器)。显示部IOO具有配置成矩阵状的子像素，各子像素配置在相邻的 两条扫描线(栅极信号线或水平信号线)(GO Gm)、与相邻的两 条图像线(漏极信号线或垂直信号线)(Dl Dn)交叉的区域(4 条信号线所围起来的区域)内。各子像素具有像素晶体管(TFT),该像素晶体管(TFT)是半 导体层由多晶体构成的薄膜晶体管。配置成矩阵状的各子像素的各列中每一列的像素晶体管(TFT)的漏电极分别与图像线(Dl Dn)连 接，各像素晶体管(TFT)的源电极与子像素电极(PX)连接。漏电极和源电极本来取决于其间的偏压极性，因此，在本实施例 的组件中，由于其极性在工作中反转，所以漏电极、源电极在工作中 交替，但在本说明书中，为了便于说明，将一方电极固定为漏电极、 另 一 方电极固定为源电极来进行说明。配置成矩阵状的各子像素的各 行中每一行的像素晶体管(TFT)的栅电极分别与扫描线(G0 Gm) 连接，该扫描线(GO Gm)与水平移位寄存器电路110连接。各像 素晶体管(TFT)在对栅电极施加正的偏压时导通，在对栅电极施加 负的偏压时截止。由于在像素电极(PX)与对置电极(CT)之间设 有液晶层，因此，在各像素电极(PX)等效连接液晶电容(LC)， 在前级的扫描线(GO Gm)与像素电极(PX)之间连接有保持电容 (Cadd)。图1中的水平移位寄存器电路110、垂直移位寄存器电路120是 液晶显示板内的电路(以下称为外围电路)。这些外围电路与构成各 子像素的有源元件的像素晶体管(TFT)相同，由使用多晶硅作为半 导体层的薄膜晶体管(以下称为多晶硅薄膜晶体管)构成，这些多晶 硅薄膜晶体管与构成各子像素的有源元件的像素晶体管(TFT)同时 形成。在本实施例中，在每1H期间(扫描期间)，自垂直移位寄存器 电路120依次对各扫描线(GO Gm)输出扫描线选择信号。由此， 栅电极与扫描线(GO Gm)连接的像素晶体管(TFT)在1H期间内导通。另外，在本实施例中，对各图像线(Dl Dn)的每一图像线设 置开关晶体管(SW1 ~ SWn)。该开关晶体管(SW1 ~ SWn)在1H 期间(扫描期间)内利用从水平移位寄存器电路IIO输出的H电平的 移位输出而依次导通，使图像线(Dl ~Dn)与视频信号线(SO)连接。以下，简单说明本实施例的液晶显示板的工作。图1所示的水平移位寄存器电路110利用起动脉沖和垂直驱动用时钟信号而依次选择扫描线(G0~Gm)，对选择出的扫描线(G0~ Gm)车命出正的偏压。由此，栅电极与所选择的扫描线(G0~Gm)连接的像素晶体管 (TFT)导通。另外，水平移位寄存器电路IIO利用起动脉冲和水平驱动用时钟 信号而在1H期间(扫描期间)内依次使开关晶体管(SWl~SWn) 导通，使图像线(Dl Dn)与视频信号线(SO)连接。由此，视频信号线(SO)的视频信号(视频信号的电压)输出到 图像线(Dl Dn),对栅电极与所选择的扫描线(G0 Gm)连接的 像素晶体管(TFT)成为导通的子像素写入所接收的视频信号(视频 信号的电压)，在液晶显示板上显示图像。图2是表示本专利技术实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导 体层的多晶硅薄膜晶体管的电极构造的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，其中， 上述显示板具有基板， 上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管， 上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成， 其特征在于， 上述薄膜晶体管具有： 形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极； 形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜； 在上述栅极绝缘膜上，形成在上述半导体层上的栅电极； 形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及 在上述绝缘膜上，覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层。
【技术特征摘要】
JP 2007-8-15 2007-2117911.一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，其中，上述显示板具有基板，上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其特征在于，上述薄膜晶体管具有形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜上，形成在上述半导体层上的栅电极；形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上，覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层。2. 根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于， 从与上述基板正交的方向观察时，上述金属层的端部位于上述栅电极内。3. 根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于， 上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：境武志，松本克巳，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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